[發明專利]處理腔導向裝置、處理腔和用于將基體支架引導至處理位置處的方法

在審

• 申請號: 201880025293.5
• 申請日: 2018-03-19
• 公開（公告）號: CN110520557A
• 公開（公告）日: 2019-11-29
• 發明（設計）人: S·瑞伯;K·席林格;B·瑞卡特
• 申請（專利權）人: 奈克斯沃夫有限公司
• 主分類號: C30B25/02
• 分類號: C30B25/02;C23C16/458;C23C16/54;H01L21/677;C23C14/56;C23C16/24;C30B25/12;C23C16/44
• 代理公司: 11447 北京英創嘉友知識產權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 桑傳標<國際申請>=PCT/EP2018

1.處理腔導向裝置(1、1a、1b、1c)，構造成用于沿導向方向直線引導能在所述處理腔導向裝置中移動的基體支架，以利用所述基體支架向處理位置處的移動，使得通過處理腔導向裝置(1、1a、1b、1c)和基體支架(2、2a)至少構成處理腔導向裝置(1、1a、1b、1c)的局部的邊界，其特征在于，具有至少一個密封面(4、4a)，所述密封面平行于所述導向方向延伸并且構造和設置成使得，當設置在所述處理腔導向裝置(1、1a、1b、1c)中的所述基體支架(2、2a)處于所述處理位置處時，所述密封面(4、4a)與所述基體支架(2、2a)隔開小于1mm的間距。

2.根據權利要求1所述的處理腔導向裝置(1、1a、1b、1c)，其特征在于，所述密封面(4、4a)垂直于所述導向方向并平行于設置在所述處理腔導向裝置(1、1a、1b、1c)中的所述基體支架的表面，所述密封面(4、4a)具有至少2mm、特別是至少10mm、優選地至少20mm的寬度。

3.根據上述權利要求中任意一項所述的處理腔導向裝置(1、1a、1b、1c)，其特征在于，除了所述第一密封面(4、4a)，所述處理腔導向裝置(1、1a、1b、1c)還具有至少一個第二密封面(4、4a)，所述第二密封面(4、4a)平行于所述導向方向延伸并且構造和設置成使得，當設置在所述處理腔導向裝置(1、1a、1b、1c)中的所述基體支架(2、2a)處于所述處理位置處時，所述基體支架(2、2a)設置在該兩個密封面之間，并且該兩個密封面沿垂直于所述導向方向的方向隔開一定的間距，所述間距以小于0.4mm、優選小于0.3mm、特別是小于0.2mm的程度超過所述基體支架的寬度。

4.根據上述權利要求中任意一項中所述的處理腔導向裝置(1、1a、1b、1c)，其特征在于，所述處理腔導向裝置(1、1a、1b、1c)具有用于所述基體支架(2、2a)的滾動體支承結構。

5.根據上述權利要求中任意一項中所述的處理腔導向裝置(1、1a、1b、1c)，其特征在于，所述處理腔導向裝置(1、1a、1b、1c)具有用于容納所述基體支架的槽，特別是矩形槽。

6.根據權利要求4和5中所述的處理腔導向裝置(1、1a、1b、1c)，其特征在于，所述滾動體支承結構設置在所述槽的底面上。

7.根據權利要求5至6中任意一項中所述的處理腔導向裝置(1、1a、1b、1c)，其特征在于，所述槽的一個端面、優選所述槽的兩個端面至少在部分區域內構造成所述密封面(4、4a)。

8.用于氣相沉積硅層的處理腔(P)，具有至少一個根據上述權利要求中任意一項所述的處理腔導向裝置(1、1a、1b、1c)和至少一個基體支架(2、2a)，通過所述基體支架在所述處理腔導向裝置(1、1a、1b、1c)中向處理位置處的移動，至少構成處理腔(P)的局部的邊界，所述處理腔導向裝置(1、1a、1b、1c)和基體支架相配合地構造成使得，當設置在所述處理腔導向裝置(1、1a、1b、1c)中的所述基體支架(2、2a)處于所述處理位置處時，所述密封面(4、4a)與所述基體支架(2、2a)隔開小于1mm的間距，其中所述處理腔(P)優選在兩個相對設置的側面上具有端側限定元件，所述端側限定元件與所述處理腔導向裝置(1、1a、1b、1c)連接。

9.根據權利要求8所述的處理腔(P)，其特征在于，所述基體支架(2、2a)具有用于滾動體支承結構中的滾動體的導向結構，所述導向結構特別為槽，或者所述基體支架(2、2a)具有滾動體支承結構，所述滾動體支承結構設置在所述基體支架朝向所述處理腔導向裝置(1、1a、1b、1c)的側面上。