[發(fā)明專利]拋光層用聚氨酯、包含聚氨酯的拋光層及該拋光層的改性方法、拋光墊及拋光方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880024840.8
• 申請日: 2018-04-27
• 公開（公告）號: CN110573547B
• 公開（公告）日: 2022-06-10
• 發(fā)明（設計）人: 大下梓紗;竹越穰;加藤充;岡本知大;加藤晉哉
• 申請（專利權）人: 株式會社可樂麗
• 主分類號: C08G18/65
• 分類號: C08G18/65;H01L21/304;B24B37/24
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王利波

本發(fā)明提供作為具有席夫堿的二醇或其衍生物的含席夫堿的擴鏈劑，另外，還提供使用其制造的聚氨酯及其改性方法、包含聚氨酯的拋光層、使用了該拋光層的拋光方法。

技術領域

本發(fā)明涉及新型的拋光層用聚氨酯、包含聚氨酯的拋光層及該拋光層的改性方法、拋光墊及拋光方法。

背景技術

聚氨酯可以通過使包含擴鏈劑、高分子二醇及有機二異氰酸酯的原料進行反應來制造。例如，下述專利文獻1公開了一種由含酰胺基二醇構成的擴鏈劑，其作為聚氨酯樹脂的原料成分使用，所述聚氨酯樹脂的原料成分能夠制造機械的強度優(yōu)異且具備優(yōu)異的熱穩(wěn)定性的熱塑性聚氨酯樹脂。

然而，作為為了對半導體晶片進行鏡面加工、或者為了在半導體基板上形成電路的工序中使具有氧化膜等絕緣膜、導電體膜的被拋光物的表面平坦化而使用的拋光方法，已知有CMP。CMP是一邊向被拋光物的表面供給包含磨粒和反應液的漿料一邊用拋光墊對被拋光物進行高精度地拋光的方法。聚氨酯作為CMP中使用的拋光墊的拋光層的原材料而使用。

近年來，隨著在半導體基板上形成的電路的高集成化及多層布線化的發(fā)展，對于CMP要求拋光速度的提高、更高的平坦性。為了滿足這樣的要求，為了通過提高漿料中的磨粒與拋光層的親和性來提高拋光速度，提出了調(diào)整聚氨酯的表面的zeta電位。例如，下述專利文獻2公開了一種拋光墊，將拋光墊安裝于拋光裝置，在啟動了拋光裝置的使用初期階段，縮短通過修整處理進行拋光墊表面的整形處理的準備工序(磨合(啟動))所需的時間。具體而言，公開了一種拋光墊，其具有被壓接于被拋光物的拋光面，拋光面的起伏為周期5mm～200mm，最大振幅為40μm以下。另外，專利文獻2公開了：在拋光墊的拋光面的zeta電位為-50mv以上且低于0mv時，通過抑制漿料中的負磨粒對拋光面的排斥，使拋光墊的拋光面與磨粒的適應變得良好，可實現(xiàn)磨合時間的縮短。

另外，下述專利文獻3公開了一種拋光墊，其通過抑制拋光屑附著于拋光墊表面而減少被拋光物表面的劃痕、缺陷的產(chǎn)生，提高產(chǎn)品的成品率，且可以得到高平坦性和適度的拋光速度。具體而言，公開了一種與被拋光物相對的拋光面的zeta電位為-100mv以上且小于-55mv的拋光墊。

另外，下述專利文獻4公開了一種拋光墊，其在CMP中固定于拋光臺而用于拋光，而且能夠以低負荷且不在絕緣層產(chǎn)生缺陷地進行拋光。具體而言，公開了一種拋光墊，其在拋光墊的與被拋光物接觸的面的至少一部分使用了如下材質(zhì)：在室溫下的拉伸彈性模量為0.2GPa以上，且供給至被拋光物與拋光墊之間的漿料的pH范圍中的zeta電位為+0.1～+30mV。另外，作為比較例，公開了一種拋光墊，其在使用pH3～5的酸性漿料進行CMP時zeta電位為-8.5mV。

現(xiàn)有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2011-213866號公報

專利文獻2：國際公開2008-029725號小冊子

專利文獻3：日本特開2013-018056號公報

專利文獻4：日本特開2005-294661號公報

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明所要解決的課題

本發(fā)明的目的在于提供新型的拋光層用聚氨酯、包含聚氨酯的拋光層及該拋光層的改性方法、拋光墊及拋光方法。

用于解決課題的方法

本發(fā)明的一個方面為拋光層用聚氨酯，其是具有席夫堿的聚氨酯。作為具有席夫堿的聚氨酯的具體例，可以舉出例如如下單體原料的反應產(chǎn)物，所述單體原料至少包含：(A)擴鏈劑，該擴鏈劑包含含席夫堿的擴鏈劑；(B)高分子二醇；以及(C)有機二異氰酸酯。

作為含席夫堿的擴鏈劑，可列舉出由下述通式(1)表示的含席夫堿的二醇。

R1－N＝C－R2···(1)