[發明專利]拋光層用聚氨酯、包含聚氨酯的拋光層及該拋光層的改性方法、拋光墊及拋光方法有效
| 申請號: | 201880024840.8 | 申請日: | 2018-04-27 |
| 公開(公告)號: | CN110573547B | 公開(公告)日: | 2022-06-10 |
| 發明(設計)人: | 大下梓紗;竹越穰;加藤充;岡本知大;加藤晉哉 | 申請(專利權)人: | 株式會社可樂麗 |
| 主分類號: | C08G18/65 | 分類號: | C08G18/65;H01L21/304;B24B37/24 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 王利波 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 拋光 聚氨酯 包含 改性 方法 | ||
1.一種拋光層,其包含具有席夫堿的聚氨酯,
所述具有席夫堿的聚氨酯能夠以席夫堿為起點轉化為保持有醛基、羧基、羥基、氨基的聚氨酯。
2.根據權利要求1所述的拋光層,其中,所述聚氨酯是單體原料的反應產物,所述單體原料至少包含:
(A)擴鏈劑,該擴鏈劑包含含席夫堿的擴鏈劑;
(B)高分子二醇;以及
(C)有機二異氰酸酯。
3.根據權利要求2所述的拋光層,其中,所述含席夫堿的擴鏈劑由下述通式(1)表示,
R1-N=C-R2···(1)
式(1)中,R1為烷基、烯基、羥基苯基、氨基苯基、羥基芐基亞氨基、氨基芐基亞氨基或含有它們的基團,在R1為含有烷基或烯基的基團時,R2為含有二羥基苯基的基團,在R1為含有羥基苯基或氨基苯基的基團時,R2為含有羥基苯基的基團,在R1為含有羥基芐基亞氨基或氨基芐基亞氨基的基團時,R2為含有羥基苯基的基團,R1和R2各自任選具有取代基。
4.根據權利要求2所述的拋光層,其中,所述含席夫堿的擴鏈劑為下式(2)所示的2,4-二羥基苯-1-亞氨基丁烷、下式(3)所示的2,4-二羥基苯-1-亞氨基丙烷、下式(4)所示的N,N’-雙(亞水楊基)乙二胺、下式(5)所示的2-亞水楊基氨基苯酚、下式(6)所示的4-[(3-二甲氨基丙基亞氨基)甲基]苯-1,3-二醇、或者下式(7)所示的3-〔{4-[(3-羥基丙基亞氨基)甲基]苯亞甲基}氨基〕丙烷-1-醇,
5.根據權利要求1~4中任一項所述的拋光層,其中,所述聚氨酯是在側鏈具有所述席夫堿的聚氨酯。
6.一種拋光層的改性方法,該方法具備:
準備權利要求1所述的包含具有所述席夫堿的所述聚氨酯的拋光層的工序;以及
進行將所述席夫堿轉化為選自醛基、羧基、羥基及氨基中至少1種官能團的后處理工序。
7.一種拋光層,其包含具有選自醛基、羧基、羥基及氨基中至少1種官能團的聚氨酯的成型體,
所述聚氨酯的原料包含含席夫堿的擴鏈劑,
所述官能團是以所述席夫堿為起點轉化而成的,
所述聚氨酯的成型體是利用擠出成型法、注射成型法、吹塑成型法或壓延成型法而得到的片狀的聚氨酯的成型體。
8.一種拋光層,其包含具有羧基且在pH3.0下的zeta電位為-1.0mV以下的聚氨酯的成型體,
所述聚氨酯的原料包含含席夫堿的擴鏈劑,
所述羧基是以所述席夫堿為起點轉化而成的。
9.一種拋光層,其包含具有選自醛基、羥基及氨基中至少1種官能團的聚氨酯的成型體,
所述聚氨酯的原料包含含席夫堿的擴鏈劑,
所述官能團是以所述席夫堿為起點轉化而成的。
10.根據權利要求7所述的拋光層,其中,所述聚氨酯為非發泡體。
11.根據權利要求8所述的拋光層,其中,所述聚氨酯為非發泡體。
12.根據權利要求9所述的拋光層,其中,所述聚氨酯為非發泡體。
13.根據權利要求7~12中任一項所述的拋光層,其在50℃的水中飽和溶脹后于50℃下的儲能模量為50~1200MPa,且與水的接觸角為80度以下。
14.一種拋光層,其包含無紡布和含浸賦予至無紡布中的聚氨酯,
所述聚氨酯具有席夫堿,能夠以席夫堿為起點轉化為保持有醛基、羧基、羥基、氨基的聚氨酯。
15.一種拋光墊,其包含權利要求1~5、7~14中任一項所述的拋光層。
16.一種拋光方法,該方法具備:
將具備包含聚氨酯的成型體的拋光層的拋光墊固定于拋光裝置的拋光臺上的工序,所述拋光層具有羧基且在pH3.0下的zeta電位為-1.0mV以下,所述聚氨酯的原料包含含席夫堿的擴鏈劑,所述羧基是以所述席夫堿為起點轉化而成的;
以與所述拋光墊的所述拋光層的拋光面相對的方式將被拋光物保持于拋光裝置的保持架的工序;以及
一邊向所述拋光面與所述被拋光物之間供給酸性的拋光漿料,一邊通過使所述拋光墊與所述被拋光物相對地滑動而對所述被拋光物進行拋光的工序。
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