[發明專利]靜電消除裝置以及等離子體發生裝置

有效

• 申請號: 201880024348.0
• 申請日: 2018-11-28
• 公開（公告）號: CN110574500B
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發明（設計）人: 野村信雄;最上智史;峯村和樹;神田大樹;森下貴都;細田聰史;國中均
• 申請（專利權）人: 春日電機株式會社;國立研究開發法人宇宙航空研究開發機構
• 主分類號: H05H1/24
• 分類號: H05H1/24;H05F3/00
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 呂琳;樸秀玉

1.一種靜電消除裝置，具備：

真空室，能在內部設置帶電體，且具備高真空處理部；以及

等離子體發生裝置，向所述真空室的內部供給由電子回旋共振產生的等離子體，

所述等離子體發生裝置具備：

等離子體源，產生所述等離子體；

法蘭，將所述等離子體源設置于所述真空室的內部；

連接部，位于所述等離子體源與所述法蘭之間，連接所述等離子體源與所述法蘭，傳導在所述等離子體源產生的熱；以及

導熱部，位于所述法蘭與所述連接部之間以及所述等離子體源與所述連接部之間中的任一方或兩方，具有比所述連接部高的熱傳導率。

2.根據權利要求1所述的靜電消除裝置，其中，

還具備位于所述等離子體源與所述帶電體之間，吸引所述等離子體源所產生的所述等離子體的引出電極。

3.根據權利要求2所述的靜電消除裝置，其中，

所述引出電極為連結所述等離子體源的中心和所述帶電體的中心的線穿過大致中心的中空形狀。

4.根據權利要求1所述的靜電消除裝置，其中，

所述等離子體源具備產生所述等離子體的空間和將在所述空間產生的所述等離子體噴射至外部的多個開口部。

5.根據權利要求1所述的靜電消除裝置，其中，

所述真空室內的壓力為10^-5Pa以上1Pa以下。

6.根據權利要求1所述的靜電消除裝置，其中，

還具備阻礙所述帶電體的一部分與所述等離子體的接觸的阻礙件。

7.根據權利要求1所述的靜電消除裝置，其中，

所述高真空處理部執行金屬蒸鍍工序、陶瓷蒸鍍工序、半導體材料的微加工工序、半導體薄膜的形成工序、有機材料的薄膜生成工序以及作為陰極使用的鋁的蒸鍍工序中的至少一道工序。