[發明專利]攝像裝置、以及在其中使用的固體攝像裝置有效
| 申請號: | 201880022679.0 | 申請日: | 2018-04-02 |
| 公開(公告)號: | CN110520996B | 公開(公告)日: | 2023-08-08 |
| 發明(設計)人: | 淺野拓也;野原拓也 | 申請(專利權)人: | 新唐科技日本株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N25/77;H04N25/78;H04N25/779;H04N25/76;H04N23/55;G02B3/00 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 呂文卓 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 攝像 裝置 以及 其中 使用 固體 | ||
1.一種攝像裝置,具備紅外光源以及固體攝像裝置,所述紅外光源向被攝體照射紅外光,所述固體攝像裝置具有以矩陣狀配置了多個像素的像素陣列部,
所述固體攝像裝置具備:多個受光部,與所述多個像素對應地配置為矩陣狀,將來自所述被攝體的入射光轉換為信號電荷;信號蓄積部,蓄積所述信號電荷;信號釋放部,釋放所述信號電荷;多個微透鏡,與所述多個受光部的每一個對應地配置在該受光部的上方;以及多個開口部,與所述多個受光部的每一個對應,用于所述入射光入射,
所述多個像素的每一個包括所述多個受光部中的一個受光部、所述多個微透鏡中的一個微透鏡、以及所述多個開口部中的一個開口部,
所述固體攝像裝置,通過信號釋放電壓的導通以及截止,對所述信號電荷進行讀出與釋放,
所述多個微透鏡的每一個被配置為,越是位于所述像素陣列部的周邊側的微透鏡,與該微透鏡對應的所述受光部的中心相比,該微透鏡更靠近像素陣列部的中心側,
所述多個開口部,按照在所述像素陣列部中的像素位置,形狀及面積不同,
所述多個開口部的每一個的面積,根據與該開口部對應的一個受光部的上方所配置的遮光膜的擴展而被定義,
所述遮光膜的面積根據所述像素陣列部中的像素位置而變化。
2.如權利要求1所述的攝像裝置,
所述信號釋放電壓是基板電壓φSub,
所述信號釋放部是縱向溢出漏極。
3.如權利要求1所述的攝像裝置,
所述信號釋放部是橫向溢出漏極。
4.如權利要求1至3的任一項所述的攝像裝置,
在所述信號電荷的讀出時以及釋放時,讀出電壓為導通。
5.如權利要求1至3的任一項所述的攝像裝置,
所述多個開口部的每一個,具有遮擋讀出路徑上的入射光中的斜光的形狀。
6.如權利要求1至3的任一項所述的攝像裝置,
像素陣列部,具有在行方向或者列方向上交替地配置所述受光部與所述信號蓄積部的構成,該受光部的信號電荷被讀出到所述信號蓄積部,
所述像素陣列部包括多個第一像素和多個第二像素,所述第一像素從一個所述受光部向一個所述信號蓄積部,在第一斜方向上讀出一個所述信號電荷,所述第二像素從其他的所述受光部向其他的所述信號蓄積部,在第二斜方向上讀出其他的所述信號電荷,所述第二斜方向與所述第一斜方向不同,
與所述多個第一像素的每一個對應的所述開口部具有如下形狀,隨著朝向與來自所述像素陣列部的信號電荷的輸出方向相反的方向,該開口部的形狀為遮擋更多的讀出路徑上的入射光中的斜光,
與所述多個第二像素的每一個對應的所述開口部具有如下形狀,隨著朝向所述輸出方向的順方向,該開口部的形狀為遮擋更多的讀出路徑上的入射光中的斜光。
7.如權利要求1至3的任一項所述的攝像裝置,
像素陣列部,具有在行方向上交替地配置所述受光部與所述信號蓄積部的構成,該受光部的信號電荷被讀出到所述信號蓄積部,
所述多個開口部具有如下形狀,隨著朝向從像素向信號蓄積部讀出所述信號電荷的方向,該開口部的形狀為遮擋更多的讀出路徑上的入射光中的斜光。
8.如權利要求1至3的任一項所述的攝像裝置,
像素陣列部,具有在行方向上交替地配置所述受光部與所述信號蓄積部的構成,該受光部的信號電荷被讀出到所述信號蓄積部,
所述像素陣列部包括多個第一像素和多個第二像素,所述第一像素從一個所述受光部向一個所述信號蓄積部,在第一斜方向上讀出一個所述信號電荷,所述第二像素從其他的所述受光部向一個所述信號蓄積部,在第二斜方向上讀出其他的所述信號電荷,所述第二斜方向與所述第一斜方向不同,
與所述多個第一像素以及所述多個第二像素的每一個對應的所述開口部具有如下形狀,隨著朝向與來自所述像素陣列部的信號電荷的輸出方向相反的方向,該開口部的形狀為遮擋更多的讀出路徑上的入射光中的斜光。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





