[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制造方法及粘合片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880022421.0
• 申請(qǐng)日: 2018-03-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110462816B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-09-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 阿久津高志;岡本直也;中山武人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 琳得科株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L23/12
• 分類號(hào): H01L23/12;C09J5/00;C09J7/20;H01L21/56
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 王利波

1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其是使用粘合片制造半導(dǎo)體裝置的方法，所述粘合片具有粘合劑層、以及包含膨脹性粒子且為非粘合性的基材，

所述基材在23℃下的儲(chǔ)能模量E’(t)為1.0×10⁶Pa以上，

該方法具有下述工序(1)～(4)，

工序(1)：將形成有開(kāi)口部的框構(gòu)件粘貼于粘合劑層的粘合表面的工序；

工序(2)：將半導(dǎo)體芯片放置于在所述框構(gòu)件的所述開(kāi)口部露出的所述粘合劑層的粘合表面的一部分的工序；

工序(3)：用密封材料包覆所述半導(dǎo)體芯片、所述框構(gòu)件、以及所述粘合劑層的粘合表面中所述半導(dǎo)體芯片的周邊部，使該密封材料固化，得到所述半導(dǎo)體芯片被固化密封材料密封而成的固化密封體的工序；

工序(4)：使所述膨脹性粒子膨脹，從所述固化密封體剝離所述粘合片的工序。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，該方法還具有下述工序(5)，

工序(5)：在剝離了所述粘合片后的固化密封體上形成再布線層的工序。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

所述膨脹性粒子是熱膨脹性粒子，

所述工序(4)是通過(guò)對(duì)所述粘合片加熱而使所述熱膨脹性粒子膨脹，從所述固化密封體剝離所述粘合片的工序。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述熱膨脹性粒子的膨脹起始溫度(t)為120～250℃。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述基材滿足下述要件(1)～(2)，

要件(1)：所述基材在100℃下的儲(chǔ)能模量E’(100)為2.0×10⁵Pa以上；

要件(2)：所述基材在所述熱膨脹性粒子的膨脹起始溫度(t)下的儲(chǔ)能模量E’(t)為1.0×10⁷Pa以下。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述膨脹性粒子在23℃下的膨脹前的平均粒徑為3～100μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述粘合劑層在23℃下的剪切模量G’(23)為1.0×10⁴～1.0×10⁸Pa。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，在23℃下，所述基材的厚度與所述粘合劑層的厚度之比(基材/粘合劑層)為0.2以上。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，在23℃下，所述基材的厚度為10～1000μm，所述粘合劑層的厚度為1～60μm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，所述基材表面的探針粘性值低于50mN/5mmφ。

11.一種粘合片，其是權(quán)利要求1～10中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法所使用的粘合片，所述粘合片具有粘合劑層、以及包含膨脹性粒子且為非粘合性的基材。