[發明專利]半導體裝置的制造方法及粘合片有效
| 申請號: | 201880022421.0 | 申請日: | 2018-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN110462816B | 公開(公告)日: | 2023-09-19 |
| 發明(設計)人: | 阿久津高志;岡本直也;中山武人 | 申請(專利權)人: | 琳得科株式會社 |
| 主分類號: | H01L23/12 | 分類號: | H01L23/12;C09J5/00;C09J7/20;H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 王利波 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 制造 方法 粘合 | ||
本發明提供具有下述工序(1)~(4)的半導體裝置的制造方法、以及該制造方法所使用的粘合片,所述半導體裝置的制造方法是使用粘合片制造半導體裝置的方法,所述粘合片具有粘合劑層、以及包含膨脹性粒子且為非粘合性的基材。工序(1):將形成有開口部的框構件粘貼于粘合劑層的粘合表面的工序;工序(2):將半導體芯片放置于在所述框構件的所述開口部露出的所述粘合劑層的粘合表面的一部分的工序;工序(3):用密封材料包覆所述半導體芯片、所述框構件、以及所述粘合劑層的粘合表面中所述半導體芯片的周邊部,使該密封材料固化,得到所述半導體芯片被固化密封材料密封而成的固化密封體的工序;工序(4):使所述膨脹性粒子膨脹,從所述固化密封體剝離所述粘合片的工序。本發明可以抑制扇出型封裝的制造工序中半導體芯片發生位置偏移,生產性優異,得到的半導體裝置的再布線層形成面的平坦性優異。
技術領域
本發明涉及半導體裝置的制造方法及粘合片。
背景技術
近年來,正在進行電子設備的小型化、輕質化及高功能化,與此相伴,電子設備中搭載的半導體裝置也要求小型化、薄型化及高密度化。
半導體芯片有時安裝于與其尺寸接近的封裝中。這樣的封裝有時也稱為CSP(芯片級封裝,Chip?Scale?Package)。作為CSP,可以列舉:以晶片尺寸處理至封裝最終工序而完成的WLP(晶圓級封裝,Wafer?Level?Package)、以大于晶片尺寸的面板尺寸處理至封裝最終工序而完成的PLP(面板級封裝,Panel?Level?Package)等。
WLP及PLP可分類為扇入(Fan-In)型和扇出(Fan-Out)型。在扇出型的WLP(以下,也稱為“FOWLP”)及PLP(以下,也稱為“FOPLP”)中,用密封材料包覆半導體芯片,使其成為比芯片尺寸大的區域,形成半導體芯片密封體,不僅在半導體芯片的電路面,而且在密封材料的表面區域也形成再布線層及外部電極。
另外,FOWLP及FOPLP例如可以經過以下工序來制造:將多個半導體芯片放置在臨時固定用的粘合片(以下,也稱為“臨時固定用片”)上的放置工序、用賦予了流動性的密封材料進行包覆的包覆工序、使該密封材料熱固化的固化工序、從上述密封體剝離臨時固定用片的剝離工序、在露出的半導體芯片側的表面形成再布線層的再布線層形成工序。
對于上述的工序中使用的臨時固定用片而言,在上述包覆工序及固化工序(以下,也將這些工序稱為“密封工序”)之間要求半導體芯片不發生位置偏移、且密封材料不進入半導體芯片與臨時固定用片的粘接界面的程度的粘接性,在密封工序之后要求能夠沒有殘膠地容易去除的剝離性。即,FOWLP及FOPLP的制造中使用的臨時固定用片要求兼顧使用時的粘接性和使用后的剝離性。
例如,專利文獻1公開了如下方法:在FOWLP的制造方法中,在臨時固定用片上進行了密封工序后,用手彎曲該臨時固定用片并剝離,所述臨時固定用片具有由聚酰亞胺膜形成的基材和該基材的表面具備的由有機硅類粘合劑形成的粘合層。但是,用手等剝離臨時固定用片的工序復雜,從提高生產性的觀點考慮,要求能夠以更小的外力剝離臨時固定用片。
作為剝離性優異的臨時固定用片,例如,專利文獻2公開了一種電子部件切斷時的臨時固定用加熱剝離型粘合片,其在基材的至少一面設置有含有熱膨脹性微小球的熱膨脹性粘合層。在FOWLP及FOPLP的制造中,也可以考慮使用專利文獻2中記載的加熱剝離型粘合片。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2015-32646號公報
專利文獻2:日本專利第3594853號公報
發明內容
發明要解決的課題
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