[發明專利]接頭塊和使用該接頭塊的流體控制裝置

在審

• 申請號: 201880021909.1
• 申請日: 2018-03-13
• 公開（公告）號: CN110494686A
• 公開（公告）日: 2019-11-22
• 發明（設計）人: 工藤翔太郎;堂屋英宏
• 申請（專利權）人: 株式會社富士金
• 主分類號: F16K27/00
• 分類號: F16K27/00;H01L21/3065;H01L21/31
• 代理公司: 11277 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 劉新宇;張會華<國際申請>=PCT/JP

1.一種接頭塊，該接頭塊劃分有彼此相對的上表面和底面、自所述上表面朝向所述底面側延伸的側面，其中，

該接頭塊具有：

主流路，其具有在所述接頭塊內自長度方向上的一端側朝向另一端側延伸的流路以及在所述上表面上在一端側開口的一端側開口部和在另一端側開口的另一端側開口部；

副流路，其具有在所述接頭塊內自長度方向上的一端側朝向另一端側延伸的流路以及在所述上表面上在一端側開口的第1開口部和在下游側開口的第2開口部，所述第1開口部和第2開口部在所述長度方向上配置在所述一端側開口部和所述另一端側開口部之間；以及

連接流路，其一端部與所述主流路連接，另一端部在所述上表面開口，并且，具有在所述長度方向上在所述副流路的所述第2開口部與所述主流路的所述另一端側開口部之間開口的第3開口部，

所述主流路配置為在俯視時局部與所述副流路和所述連接流路重疊。

2.根據權利要求1所述的接頭塊，其中，

所述副流路沿著長度方向配置有多個。

3.根據權利要求1或2所述的接頭塊，其中，

所述主流路具有沿著所述長度方向延伸的長路部，

自所述一端側開口部和所述另一端側開口部向所述長路部延伸的流路中的至少一者自所述上表面沿著所述長度方向傾斜地延伸。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的接頭塊，其中，

所述連接流路自所述上表面向所述長度方向上的所述另一端側傾斜地延伸。

5.一種流體控制裝置，其中，

該流體控制裝置包括：

沿著一方向排列的多個流體設備；

權利要求1所述的接頭塊；以及

與所述副流路的所述第1開口部連接的管路構件，

所述多個流體設備中的至少一流體設備具有主體，該主體設置在所述接頭塊的所述上表面的所述第2開口部和所述第3開口部上，劃分有將所述第2開口部和所述第3開口部連通的流路。

6.根據權利要求5所述的流體控制裝置，其中，

所述至少一流體設備是閥裝置。

7.根據權利要求5或6所述的流體控制裝置，其中，

經由所述管路構件供給第1氣體，

向所述主流路供給除所述第1氣體以外的第2氣體。

8.一種半導體制造方法，該半導體制造方法使用了權利要求5～7中任一項所述的流體控制裝置，其中，

與所述主流路連通的最下游側端部與處理室連接，

使所述副流路全都經由所述連接流路與所述主流路連通，經由所述副流路的第1開口部向所述處理室供給吹掃氣體，

阻斷所述副流路與所述主流路之間經由了所述連接流路的連通，經由所述主流路向所述處理室供給除吹掃氣體以外的氣體。

9.一種半導體制造裝置，該半導體制造裝置包括權利要求5～7中任一項所述的流體控制裝置，其中，

與所述主流路連通的最下游側端部與處理室連接，

所述副流路全都經由所述連接流路與所述主流路連通，

經由所述副流路的第1開口部向所述處理室供給吹掃氣體，阻斷所述副流路與所述主流路之間經由了所述連接流路的連通，經由所述主流路向所述處理室供給除吹掃氣體以外的氣體。