[發明專利]攝像裝置和X射線攝像裝置

有效

• 申請號: 201880016980.0
• 申請日: 2018-03-15
• 公開（公告）號: CN110392927B
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發明（設計）人: 瀧田力也;中村涉;中野文樹;富安一秀;中澤淳;森脅弘幸
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L27/144;H01L29/786;H04N23/30;H04N25/70
• 代理公司: 北京市隆安律師事務所 11323
• 代理人: 權鮮枝;劉寧軍

本發明的一個方面的攝像裝置具備：光電轉換部，其將入射的光轉換為電荷；以及檢測部，其檢測由光電轉換部產生的電荷，光電轉換部具備按矩陣狀排列的多個光電二極管，檢測部具備與多個光電二極管對應設置并按矩陣狀排列的多個TFT，光電二極管具備下部電極、半導體層以及上部電極，在半導體層的周緣部，在下部電極的厚度方向的至少一部分與半導體層之間設置有絕緣層，絕緣層的端部具有該絕緣層的下表面與側面形成銳角的錐形形狀。

技術領域

本發明的若干方面涉及攝像裝置和X射線攝像裝置。

本申請關于2017年3月16日在日本提交申請的特愿2017-051166號主張優先權，并在此引用其內容。

背景技術

例如在醫療用診斷裝置的領域中以往以來已知X射線攝像裝置。在X射線攝像裝置中有直接轉換方式和間接轉換方式這2個方式。其中，在間接轉換方式的X射線攝像裝置中，在X射線轉換層中將被照射的X射線轉換為可見光，使用光電二極管和開關元件將該可見光檢測為圖像。

在下述的專利文獻1中，公開了具備按矩陣狀排列的多個光檢測元件的光電轉換裝置。光檢測元件包括光電二極管和薄膜晶體管。以下，在本說明書中，將薄膜晶體管(ThinFilm?Transistor)縮寫為TFT。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：特開2015-79840號公報

發明內容

發明要解決的問題

在專利文獻1的光電轉換裝置中，為了抑制光電二極管的漏電流，采用了在光電二極管的下部電極上設置具有開口部的絕緣層并在開口部中使光電二極管的半導體層(接觸層)與下部電極接觸的構成。然而，在該構成中，漏電流對策仍不充分，要求進一步降低光電二極管的漏電流的對策。

本發明的一個方面是為了解決上述問題而完成的，其目的之一在于通過降低光電二極管的漏電流而提供一種拍攝性能優異的攝像裝置。另外，本發明的一個方面的目的之一在于提供具備上述的攝像裝置的X射線攝像裝置。

用于解決問題的方案

為了達到上述的目的，本發明的一個方面的攝像裝置具備：光電轉換部，其將入射的光轉換為電荷；以及檢測部，其檢測由上述光電轉換部產生的上述電荷，上述光電轉換部具備按矩陣狀排列的多個光電二極管，上述檢測部具備與上述多個光電二極管對應設置并按矩陣狀排列的多個薄膜晶體管，上述光電二極管具備下部電極、半導體層以及上部電極，在上述半導體層的周緣部，在上述下部電極的厚度方向的至少一部分與上述半導體層之間設置有絕緣層，上述絕緣層的端部具有該絕緣層的下表面與側面形成銳角的錐形形狀。

在本發明的一個方面的攝像裝置中也可以是，上述絕緣層的下表面與側面形成的錐形角度θ滿足θ≤30°。

在本發明的一個方面的攝像裝置中也可以是，上述絕緣層是氧化硅層。

在本發明的一個方面的攝像裝置中也可以是，上述絕緣層具有氮化硅層與氧化硅層的兩層結構，上述氮化硅層設置于上述下部電極與上述氧化硅層之間。

在本發明的一個方面的攝像裝置中也可以是，上述下部電極具有第1電極層與第2電極層的兩層結構，在上述半導體層的周緣部，在上述第1電極層與上述第2電極層之間設置有絕緣層，上述半導體層的下表面是與上述第2電極層接觸的。

在本發明的一個方面的攝像裝置中也可以是，上述薄膜晶體管具備包括In-Ga-Zn-O系氧化物半導體的半導體層。