[發(fā)明專利]攝像裝置和X射線攝像裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880016980.0
• 申請日: 2018-03-15
• 公開（公告）號: CN110392927B
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發(fā)明（設計）人: 瀧田力也;中村涉;中野文樹;富安一秀;中澤淳;森脅弘幸
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L27/144;H01L29/786;H04N23/30;H04N25/70
• 代理公司: 北京市隆安律師事務所 11323
• 代理人: 權鮮枝;劉寧軍

1.一種攝像裝置，其特征在于，具備：

光電轉換部，其將入射的光轉換為電荷；以及

檢測部，其檢測由上述光電轉換部產生的上述電荷，

上述光電轉換部具備按矩陣狀排列的多個光電二極管，

上述檢測部具備與上述多個光電二極管對應設置并按矩陣狀排列的多個薄膜晶體管，

上述多個光電二極管具備下部電極、半導體層以及上部電極，

在上述半導體層的周緣部，在上述下部電極的厚度方向的至少一部分與上述半導體層之間設置有絕緣層，

上述絕緣層的端部具有該絕緣層的下表面與側面形成銳角的錐形形狀，

上述下部電極具有第1電極層與第2電極層的兩層結構，

在上述半導體層的周緣部，在上述第1電極層與上述第2電極層之間設置有上述絕緣層，

上述半導體層的下表面是與上述第2電極層接觸的。

2.根據(jù)權利要求1所述的攝像裝置，

上述絕緣層的下表面與側面形成的錐形角度θ滿足θ≤30°。

3.根據(jù)權利要求1所述的攝像裝置，

上述絕緣層是氧化硅層。

4.根據(jù)權利要求1所述的攝像裝置，

上述薄膜晶體管具備包括In-Ga-Zn-O系氧化物半導體的半導體層。

5.一種X射線攝像裝置，其特征在于，具備：

X射線轉換部，其在被照射X射線時根據(jù)上述X射線的強度產生光；以及

權利要求1至權利要求4中的任意一項所述的攝像裝置，

上述光電轉換部將從上述X射線轉換部射出的光轉換為上述電荷。