[發(fā)明專利]彈性波裝置及彈性波裝置封裝件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880016602.2
• 申請日: 2018-03-08
• 公開（公告）號: CN110431743B
• 公開（公告）日: 2023-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 小柳卓哉;巖本英樹
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H03H9/145
• 分類號: H03H9/145;H03H9/25;H03H9/64
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 李國華

提供一種能夠抑制在壓電體傳播的第一高次模式的響應(yīng)的彈性波裝置。彈性波裝置(1)在由硅構(gòu)成的支承基板(2)上層疊有氧化硅膜(3)、壓電體(4)及IDT電極(5)。當(dāng)將由IDT電極(5)的電極指間距決定的波長設(shè)為λ時，支承基板(2)的厚度為3λ以上。在壓電體(4)傳播的第一高次模式的聲速與由從下述的式(2)導(dǎo)出的x的解Vsubgt;1/subgt;、Vsubgt;2/subgt;、Vsubgt;3/subgt;中的Vsubgt;1/subgt;規(guī)定的、在支承基板內(nèi)傳播的體波的聲速Vsubgt;Si/subgt;＝(Vsubgt;1/subgt;)supgt;1/2/supgt;相同、或者與Vsubgt;si/subgt;相比為高速。Axsupgt;3/supgt;+Bxsupgt;2/supgt;+Cx+D＝0...式(2)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及在由硅構(gòu)成的支承基板上設(shè)置有壓電體的彈性波裝置。

背景技術(shù)

以往，提出了各種使用由硅構(gòu)成的支承基板的彈性波裝置。

在下述的專利文獻(xiàn)1中，公開了在硅制的支承基板上層疊有機(jī)粘合層和壓電基板而成的彈性波裝置。而且，通過在硅的(111)面接合來提高耐熱性

在先技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開平2010-187373號公報

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的課題

在專利文獻(xiàn)1所記載的彈性波裝置中，根據(jù)由硅構(gòu)成的支承基板的晶體取向，在支承基板傳播的體波的聲速有時高于在壓電體傳播的高次模式的聲速。在該情況下，存在如下問題：應(yīng)泄漏到支承基板側(cè)的高次模式有時被封閉到比支承基板靠上層的位置，導(dǎo)致高次模式的響應(yīng)變大。

而且，在上述高次模式是頻率比在壓電體傳播的主模式高且頻率最接近主模式的響應(yīng)的第一高次模式的情況下，第一高次模式處于接近主模式的響應(yīng)的位置，因此，可能對濾波器特性造成不良影響。

而且，這里所說的主模式是指如下的波的模式：在彈性波裝置為帶通型濾波器用的諧振器的情況下，在濾波器的通帶內(nèi)存在諧振頻率及反諧振頻率中的至少一方，并且，諧振頻率下的阻抗與反諧振頻率下的阻抗之差最大。另外，在彈性波裝置為濾波器的情況下，是為了形成濾波器的通帶而使用的波的模式。

本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠抑制在壓電體傳播的上述第一高次模式的響應(yīng)的彈性波裝置、彈性波裝置封裝件、高頻前端電路及通信裝置。

用于解決課題的手段

本發(fā)明是一種彈性波裝置，具備：支承基板，其由硅構(gòu)成；氧化硅膜，其設(shè)置在所述支承基板或上方；壓電體，其設(shè)置在所述氧化硅膜上；以及IDT電極，其設(shè)置在所述壓電體的一個主面上，當(dāng)將由所述IDT電極的電極指間距決定的波長設(shè)為λ時，所述支承基板的厚度為3λ以上，在所述壓電體傳播的第一高次模式的聲速與在所述支承基板內(nèi)傳播的體波的聲速即下述的式(1)的聲速V_Si相同，或者與所述聲速V_Si相比為高速。

在本發(fā)明中，聲速V_Si由以下的式(1)表示。

V_Si＝(V₁)^1/2(m/秒)...式(1)

式(1)中的所述V₁是下述的式(2)的解。

Ax³+Bx²+Cx+D＝0...式(2)

在式(2)中，A、B、C及D分別是由下述的式(2A)～(2D)表示的值。

A＝-ρ³...式(2A)