[發(fā)明專利]彈性波裝置及彈性波裝置封裝件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880016602.2
• 申請(qǐng)日: 2018-03-08
• 公開（公告）號(hào): CN110431743B
• 公開（公告）日: 2023-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 小柳卓哉;巖本英樹
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社村田制作所
• 主分類號(hào): H03H9/145
• 分類號(hào): H03H9/145;H03H9/25;H03H9/64
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 李國(guó)華

1.一種彈性波裝置，具備：

支承基板，其由硅構(gòu)成；

氧化硅膜，其設(shè)置在所述支承基板上或上方；

壓電體，其設(shè)置在所述氧化硅膜上；以及

IDT電極，其設(shè)置在所述壓電體的一個(gè)主面上，

當(dāng)將由所述IDT電極的電極指間距決定的波長(zhǎng)設(shè)為λ時(shí)，所述支承基板的厚度為3λ以上，

在所述壓電體傳播的第一高次模式的聲速與在所述支承基板內(nèi)傳播的體波的聲速即下述的式(1)的聲速V_Si相同，或者與所述聲速V_Si相比為高速，

V_Si＝(V₁)^1/2(m/秒)...式(1)

式(1)中的所述V₁是下述的式(2)的解，

Ax³+Bx²+Cx+D＝0...式(2)

在式(2)中，A、B、C及D分別是由下述的式(2A)～(2D)表示的值，

A＝-ρ³...式(2A)

B＝ρ²(L₁₁+L₂₂+L₃₃)...式(2B)

C＝ρ(L₂₁²+L₂₃²+L₃₁²-L₁₁·L₃₃-L₂₂·L₃₃-L₁₁·L₂₂)...式(2C)

D＝2·L₂₁·L₂₃·L₃₁+L₁₁·L₂₂·L₃₃-L₃₁²·L₂₂-L₁₁·L₂₃²-L₂₁²·L₃₃...式(2D)

其中，在式(2A)、式(2B)、式(2C)或式(2D)中，ρ是硅的密度(g/cm³)，ρ＝2.331(g/cm³)，另外，L₁₁、L₂₂、L₃₃、L₂₁、L₃₁及L₂₃是由下述的式(3A)～(3F)表示的值，

L₁₁＝c₁₁·a₁²+c₄₄·a₂²+c₄₄·a₃²...式(3A)

L₂₂＝c₄₄·a₁²+c₁₁·a₂²+c₄₄·a₃²...式(3B)

L₃₃＝c₄₄·a₁²+c₄₄·a₂²+c₁₁·a₃²...式(3C)

L₂₁＝(c₁₂+c₄₄)·a₂·a₁...式(3D)

L₃₁＝(c₁₂+c₄₄)·a₁·a₃...式(3E)

L₂₃＝(c₄₄+c₁₂)·a₃·a₂...式(3F)

其中，在式(3A)～(3F)中，c₁₁、c₁₂、c₄₄分別是硅的彈性常數(shù)(N/m²)，c₁₁＝1.674E+11(N/m²)、c₁₂＝6.523E+10(N/m²)、c₄₄＝7.957E+10(N/m²)，另外，a₁、a₂及a₃是由下述的式(4A)～(4C)表示的值，

a₃＝sin(θ)·sin(ψ)...式(4C)

而且，式(4A)～(4C)中的θ及ψ是所述支承基板的晶體取向中的θ、ψ。