[發明專利]臨時固定基板以及電子部件的臨時固定方法有效
| 申請號: | 201880015995.5 | 申請日: | 2018-01-26 |
| 公開(公告)號: | CN110462804B | 公開(公告)日: | 2023-03-14 |
| 發明(設計)人: | 野村勝;宮澤杉夫 | 申請(專利權)人: | 日本礙子株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京旭知行專利代理事務所(普通合伙) 11432 | 代理人: | 王軼;鄭雪娜 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 臨時 固定 以及 電子 部件 方法 | ||
1.一種臨時固定基板,該臨時固定基板具備:
固定面,所述固定面用于粘接多個電子部件并利用樹脂模塑進行臨時固定;和,
底面,所述底面處于所述固定面的相反側,
所述臨時固定基板的特征在于,
將所述臨時固定基板設置于平臺的表面上,在觀察所述臨時固定基板的橫截面時,所述臨時固定基板按照所述固定面從所述臨時固定基板朝上而呈凸狀的方式翹曲,
將通過所述臨時固定基板的所述固定面和所述平臺的所述表面的間隔最小的點且與所述平臺的所述表面平行的平面設為所述臨時固定基板的翹曲的基準面的情況下,
將在觀察所述臨時固定基板的所述橫截面時的所述固定面的寬度設為W,將所述固定面相對于所述臨時固定基板的翹曲的基準面的高度達到所述固定面相對于所述基準面的高度的最大值的3/4以上的區域的寬度設為W3/4時,
滿足下述式(1),
0.45≤W3/4/W≤0.55…(1)。
2.根據權利要求1所述的臨時固定基板,其特征在于,
在觀察所述臨時固定基板的所述橫截面時的所述固定面的形狀大致呈拋物線狀。
3.根據權利要求1或2所述的臨時固定基板,其特征在于,
所述臨時固定基板由玻璃、硅或陶瓷形成。
4.根據權利要求3所述的臨時固定基板,其特征在于,
所述臨時固定基板由透光性氧化鋁形成。
5.一種電子部件的臨時固定方法,其特征在于,
準備臨時固定基板,將所述電子部件粘接于所述臨時固定基板的所述固定面,利用樹脂模塑進行臨時固定,
所述臨時固定基板具備:
固定面,所述固定面用于粘接多個電子部件并利用樹脂模塑進行臨時固定;和,
底面,所述底面處于所述固定面的相反側,
將所述臨時固定基板設置于平臺的表面上,在觀察所述臨時固定基板的橫截面時,所述臨時固定基板按照所述固定面從所述臨時固定基板朝上而呈凸狀的方式翹曲,
將通過所述臨時固定基板的所述固定面和所述平臺的所述表面的間隔最小的點且與所述平臺的所述表面平行的平面設為所述臨時固定基板的翹曲的基準面的情況下,
將在觀察所述臨時固定基板的所述橫截面時的所述固定面的寬度設為W,將所述固定面相對于所述臨時固定基板的翹曲的基準面的高度達到所述固定面相對于所述基準面的高度的最大值的3/4以上的區域的寬度設為W3/4時,
滿足下述式(1),
0.45≤W3/4/W≤0.55…(1)。
6.根據權利要求5所述的方法,其特征在于,
在觀察所述臨時固定基板的所述橫截面時的所述固定面的形狀大致呈拋物線狀。
7.根據權利要求5或6所述的方法,其特征在于,
所述臨時固定基板由玻璃、硅或陶瓷形成。
8.根據權利要求7所述的方法,其特征在于,
所述臨時固定基板由透光性氧化鋁形成。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





