[發明專利]太陽能電池單元及太陽能電池單元的制造方法

有效

• 申請號: 201880015651.4
• 申請日: 2018-03-14
• 公開（公告）號: CN110383501B
• 公開（公告）日: 2022-12-16
• 發明（設計）人: 矢野步;瀬能未奈都;難波伸
• 申請（專利權）人: 松下控股株式會社
• 主分類號: H01L31/0747
• 分類號: H01L31/0747
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

太陽能電池單元(10)包括：第1導電型的結晶性半導體的基板(20)；被設于基板(20)的一主表面的第1區域(W1)上的第1半導體層(21)；被設于一主表面的與第1區域(W1)不同的第2區域(W2)上的第2半導體層(22)；被設于第1半導體層(21)上的第1透明電極層(23)；以及被設于第2半導體層(22)上的第2透明電極層(24)。第1半導體層(21)包含第1導電型的第1非晶態半導體層(31)和從一主表面向第1透明電極層(23)延伸的第1結晶性半導體部(35)。第2半導體層(22)包含與第1導電型不同的第2導電型的第2非晶態半導體層(32)。

技術領域

本發明涉及太陽能電池單元及太陽能電池單元的制造方法。

背景技術

作為發電效率高的太陽能電池，具有在與光入射的受光面相對的背面上形成n型半導 體層及p型半導體層這二者的背面接合型的太陽能電池。例如，在結晶性的半導體基板的 一主表面上設有n型非晶態半導體層及p型非晶態半導體層(例如：參照專利文獻1)。

[在先技術文獻]

[專利文獻]

專利文獻1：美國專利申請公開第2014/0224306號說明書

發明內容

[發明要解決的課題]

非晶態半導體層對結晶性基板表面的鈍化(passivation)有效，但成為使太陽能電池 的串聯電阻增加的原因之一。為提高發電效率，希望能夠兼顧鈍化性和低電阻性。

本發明鑒于以上情況而完成，其目的在于提供一種發電效率更高的太陽能電池單元。

[用于解決技術課題的技術方案]

本發明的一種方案的太陽能電池單元包括：第1導電型的結晶性半導體的基板；被設 于基板的一主表面的第1區域上的第1半導體層；被設于一主表面的與第1區域不同的第2區域上的第2半導體層；被設于第1半導體層上的第1透明電極層，以及被設于第2半 導體層上的第2透明電極層。第1半導體層包含第1導電型的第1非晶態半導體層和從一 主表面向第1透明電極層延伸的第1結晶性半導體部。第2半導體層包含與第1導電型不 同的第2導電型的第2非晶態半導體層。

本發明的其他方案為太陽能電池的制造方法。該方法在第1導電型的結晶性半導體的 基板的一主表面上的第1區域形成第1半導體層，在一主表面的與第1區域不同的第2區 域上形成第2半導體層，在第1半導體層上及第2半導體層上形成透明電極層。第1半導體層包含第1導電型的第1非晶態半導體層和從一主表面向透明電極層延伸的第1結晶性半導體部。第2半導體層包含與第1導電型不同的第2導電型的第2非晶態半導體層。第 1非晶態半導體層及第1結晶性半導體部同時形成。

[發明效果]

根據本發明，能夠提高太陽能電池單元的發電效率。

附圖說明

圖1是表示實施方式的太陽能電池單元的構造的俯視圖。

圖2是表示圖1的太陽能電池單元的構造的剖視圖。

圖3是示意性地表示太陽能電池單元的制造工序的圖。

圖4是示意性地表示太陽能電池單元的制造工序的圖。

圖5是示意性地表示太陽能電池單元的制造工序的圖。

圖6是示意性地表示太陽能電池單元的制造工序的圖。

圖7是表示變形例的太陽能電池單元的構造的剖視圖。

圖8是表示變形例的太陽能電池單元的構造的剖視圖。

圖9是表示變形例的太陽能電池單元的構造的剖視圖。