[發明專利]太陽能電池單元及太陽能電池單元的制造方法

有效

• 申請號: 201880015651.4
• 申請日: 2018-03-14
• 公開（公告）號: CN110383501B
• 公開（公告）日: 2022-12-16
• 發明（設計）人: 矢野步;瀬能未奈都;難波伸
• 申請（專利權）人: 松下控股株式會社
• 主分類號: H01L31/0747
• 分類號: H01L31/0747
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種太陽能電池單元，其特征在于，包括：

基板，其為第1導電型的結晶性半導體，

第1半導體層，其被設于上述基板的一主表面的第1區域上，

第2半導體層，其被設于上述一主表面的與上述第1區域不同的第2區域上，

第1透明電極層，其被設于上述第1半導體層上，以及

第2透明電極層，其被設于上述第2半導體層上；

上述第1半導體層包含上述第1導電型的第1非晶態半導體層和從上述一主表面向上述第1透明電極層延伸到達上述第1透明電極層的第1結晶性半導體部；

上述第2半導體層包含與上述第1導電型不同的第2導電型的第2非晶態半導體層和被設于上述一主表面上的第2結晶性半導體部；

上述第1區域的每單位面積所設的第1結晶性半導體部的量多于上述第2區域的每單位面積所設的第2結晶性半導體部的量。

2.如權利要求1所述的太陽能電池單元，其特征在于，

上述第1半導體層還包含被設于上述一主表面與上述第1非晶態半導體層之間、實質上本征的第3非晶態半導體層。

3.如權利要求2所述的太陽能電池單元，其特征在于，

上述第1結晶性半導體部被以貫通上述第1非晶態半導體層和上述第3非晶態半導體層而到達上述第1透明電極層的方式設置。

4.如權利要求1至3的任意一項所述的太陽能電池單元，其特征在于，

上述第2非晶態半導體層的至少與上述一主表面接觸的部分的膜密度低于上述第1半導體層的與上述一主表面接觸的部分。

5.如權利要求1至3的任意一項所述的太陽能電池單元，其特征在于，

上述第2半導體層還包含被設于上述一主表面與上述第2非晶態半導體層之間、實質上本征的第4非晶態半導體層。

6.如權利要求5所述的太陽能電池單元，其特征在于，

上述第4非晶態半導體層的至少與上述一主表面接觸的部分的膜密度低于上述第1半導體層的與上述一主表面接觸的部分。

7.如權利要求5所述的太陽能電池單元，其特征在于，

上述第2結晶性半導體部以不貫通上述第4非晶態半導體層的方式設置。

8.如權利要求1至3的任意一項所述的太陽能電池單元，其特征在于，

上述第1結晶性半導體部被局部地設于上述第1區域上。

9.如權利要求1至3的任意一項所述的太陽能電池單元，其特征在于，

上述第1結晶性半導體部具有被以覆蓋上述第1區域的一半以上的方式設置的基層和從上述基層向上述第1透明電極層延伸的柱狀部。

10.如權利要求1至3的任意一項所述的太陽能電池單元，其特征在于，

上述第1非晶態半導體層的上述第1導電型的雜質濃度高于上述基板。

11.如權利要求1至3的任意一項所述的太陽能電池單元，其特征在于，

上述第1結晶性半導體部距上述一主表面的高度大于上述第2結晶性半導體部距上述一主表面的高度。

12.如權利要求11所述的太陽能電池單元，其特征在于，

上述第2結晶性半導體部以不到達上述第2透明電極層的方式設置。

13.如權利要求1至3的任意一項所述的太陽能電池單元，其特征在于，

上述第1區域小于上述第2區域。

14.如權利要求1至3的任意一項所述的太陽能電池單元，其特征在于，

上述基板被設于上述第1區域內的上述一主表面的正下方，具有上述第1導電型的雜質濃度高于上述基板的其他部分的高雜質濃度區域。