[發(fā)明專利]高純度電解銅有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201880015294.1 | 申請(qǐng)日： | 2018-06-01 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN110382743B | 公開（公告）日： | 2022-04-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 樽谷圭榮;久保田賢治;中矢清隆;荒井公 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 三菱綜合材料株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | C25C1/12 | 分類號(hào)： | C25C1/12 |
| 代理公司： | 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人： | 刁興利;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 純度 電解銅 | ||
1.一種高純度電解銅，其特征在于，
除氣體成分O、F、S、C、Cl以外的Cu的純度為99.99999質(zhì)量％以上，且S的含量為0.1質(zhì)量ppm以下，
在沿厚度方向的截面上通過(guò)電子背散射衍射進(jìn)行了晶體取向測(cè)定的結(jié)果，具有(101)±10°的面取向的晶體的面積率為5％以上且小于40％。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高純度電解銅，其特征在于，
在沿厚度方向的截面上通過(guò)電子背散射衍射進(jìn)行了晶體取向測(cè)定的結(jié)果，具有(111)±10°的面取向的晶體的面積率小于15％。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高純度電解銅，其特征在于，
在沿厚度方向的截面上，以晶粒的長(zhǎng)軸a和與該長(zhǎng)軸a正交的短軸b表示的縱橫比b/a小于0.33的晶粒的面積率小于40％。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高純度電解銅，其特征在于，
在沿厚度方向的截面上，以晶粒的長(zhǎng)軸a和與該長(zhǎng)軸a正交的短軸b表示的縱橫比b/a小于0.33的晶粒的面積率小于40％。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的高純度電解銅，其特征在于，
S的含量為0.02質(zhì)量ppm以下。
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