[發(fā)明專利]具有氣隙和保護(hù)層的IC結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880014887.6
• 申請日: 2018-02-28
• 公開（公告）號: CN110383472B
• 公開（公告）日: 2023-03-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: S·拉朱;陳文新;C·C·普拉武圖
• 申請（專利權(quán)）人: 香港科技大學(xué)
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 北京世峰知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11713
• 代理人: 卓霖;許向彤

1.一種制造集成電路結(jié)構(gòu)的方法，包括以下步驟：

a）提供基板；

b）在所述基板上產(chǎn)生多個(gè)互連結(jié)構(gòu)，其中，所述互連結(jié)構(gòu)中的每個(gè)包括側(cè)表面和頂表面，并且所述側(cè)表面直接在所述側(cè)表面之間限定氣隙，以將所述互連結(jié)構(gòu)彼此隔離；以及

c）在所述多個(gè)互連結(jié)構(gòu)的頂部上添加平面的保護(hù)層，以覆蓋所有氣隙，

其中，步驟c）包括通過以下方式在所述多個(gè)互連結(jié)構(gòu)的頂上添加掩蔽膜：

d）將所述掩蔽膜沉積在基底上；

e）在所述掩蔽膜上涂覆保持層；

f）從所述掩蔽膜移除所述基底；

g）在所述掩蔽膜位于所述互連結(jié)構(gòu)的頂上的情況下，將所述保持層和所述掩蔽膜的疊層轉(zhuǎn)移到所述基板上；以及

h）從所述掩蔽膜移除所述保持層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述保持層和所述掩蔽膜的所述疊層的步驟d）至f）遠(yuǎn)離所述基板和所述多個(gè)互連結(jié)構(gòu)執(zhí)行。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述基底由銅箔或硅晶片制成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述保持層由能夠溶解于有機(jī)溶液中或者能夠通過等離子體處理分解的一種或多種材料制成。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述保持層由PMMA制成。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，步驟e）還包括在將所述保持層涂覆在所述掩蔽膜上之后對所述保持層進(jìn)行烘烤。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，步驟g）包括在所述掩蔽膜位于所述互連結(jié)構(gòu)的頂上的情況下，將所述保持層和所述掩蔽膜的所述疊層定位到所述基板上，并且加熱所述掩蔽膜和所述互連結(jié)構(gòu)以改善所述掩蔽膜和所述互連結(jié)構(gòu)的所述頂表面之間的粘附性。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述保持層是熱釋放帶。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，步驟g）包括在所述掩蔽膜位于所述互連結(jié)構(gòu)的頂上的情況下，將所述保持層和所述掩蔽膜的所述疊層定位到所述基板上，并且在溫和的熱量下將所述保持層和所述掩蔽膜插入兩個(gè)輥之間以將所述掩蔽膜轉(zhuǎn)移到所述互連結(jié)構(gòu)的所述頂表面上。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述掩蔽膜是平面的單層或多層結(jié)構(gòu)，所述平面的單層或多層結(jié)構(gòu)包括選自半導(dǎo)體、介電材料及其任意組合的一種或多種二維材料。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，通過化學(xué)氣相沉積、原子層沉積、蒸發(fā)或分子束外延，將所述掩蔽膜沉積在所述基底上。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、低壓化學(xué)氣相沉積或金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積，將所述掩蔽膜沉積在所述基底上。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，步驟c）還包括在所述掩蔽膜上沉積支撐膜以加強(qiáng)所述掩蔽膜。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述支撐膜是平面的單層或多層結(jié)構(gòu)，所述平面的單層或多層結(jié)構(gòu)包括選自絕緣材料、半導(dǎo)體、導(dǎo)電材料及其任意組合的一種或多種材料。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，通過化學(xué)氣相沉積、原子層沉積、蒸發(fā)或分子束外延，將所述支撐膜沉積在所述掩蔽膜上。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、低壓化學(xué)氣相沉積或金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積，將所述支撐膜沉積在所述掩蔽膜上。

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，重復(fù)步驟a）至c）以產(chǎn)生多級集成電路結(jié)構(gòu)。