[發明專利]控制電路、半導體存儲器設備、信息處理設備和控制方法

有效

• 申請號: 201880014812.8
• 申請日: 2018-02-14
• 公開（公告）號: CN110352457B
• 公開（公告）日: 2023-09-15
• 發明（設計）人: 手塚宙之
• 申請（專利權）人: 索尼半導體解決方案公司
• 主分類號: G11C11/16
• 分類號: G11C11/16;G11C7/04;G11C13/00
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 吳孟秋

[問題]提供一種能夠在抑制功耗增加或成本增加的同時可靠地產生參考電位的控制電路。[解決方案]該控制電路執行控制，使得對第一參考元件和第二元件單獨執行寫入，其中，當產生將用于讀取來自存儲器元件的數據的參考電位時，第一參考元件被設置為第一電阻狀態，并且第二參考元件與第一參考元件不同，且當產生參考電位時，第二參考元件被設置為與第一電阻狀態不同的第二電阻狀態。

技術領域

本公開涉及控制電路、半導體存儲器設備、信息處理設備和控制方法。

背景技術

作為在自旋轉移力矩磁阻隨機存取存儲器(STT-MRAM)中產生感測放大器的參考電位的方法，已知一種提供參考單元的方法，其中多個存儲器單元并聯和串聯連接，并且在參考電位產生時使用參考單元作為參考電阻器。此外，為了將參考單元的組合電阻值設置為高電阻(RH)和低電阻(RL)之間的期望值，還存在安裝多個RH和RL單元，并使每個單元的比例可變的技術(專利文獻1和2等)。

在使用磁隧道結(MTJ)元件的存儲器設備中，已知存儲在MTJ元件中的信息可能被無意地反轉。因此，可靠讀取需要定期刷新操作(重寫入操作)。例如，專利文獻3公開了一種用于與對存儲器單元的寫入操作并行地對參考單元執行刷新操作的技術。

引用列表

專利文獻

專利文獻1：日本專利申請公開第2009-187631號

專利文獻2：日本專利申請公開第2013-4151號

專利文獻3：PCT日本翻譯專利公開第2013-524392號

發明內容

本發明要解決的問題

然而，與對存儲器單元的寫入操作并行地對參考單元執行刷新操作不僅增加了功耗，而且由于峰值電流的增加而導致芯片成本的增加。

因此，本公開提出了一種新穎且改進的控制電路、半導體存儲器設備、信息處理設備和控制方法，其能夠在抑制功耗增加和成本增加的同時可靠地產生參考電位。

問題的解決方法

根據本公開，提供了一種控制電路，該控制電路使得其對第一參考元件和第二參考元件單獨執行寫入處理，第一參考元件被設置為產生用于讀取來自存儲器元件的數據的參考電位時的第一電阻狀態，第二參考元件與第一參考元件不同，第二參考元件被設置為產生參考電位時的與第一電阻狀態不同的第二電阻狀態。

此外，根據本公開，提供了一種半導體存儲器設備，包括：存儲器元件；第一參考元件，被設置為產生用于讀取來自存儲器元件的數據的參考電位時的第一電阻狀態；與第一參考元件不同的第二參考元件，第二參考元件被設置為產生參考電位時的與第一電阻狀態不同的第二電阻狀態；以及控制電路，對第一參考元件和第二參考元件分別執行寫入處理。

此外，根據本公開，提供了一種信息處理設備，包括至少一個上述半導體存儲器設備。

此外，根據本公開，提供了一種控制方法，用于由處理器單獨地對第一參考元件和第二參考元件執行寫入處理，第一參考元件被設置為產生用于讀取來自存儲器元件的數據的參考電位時的第一電阻狀態，第二參考元件與第一參考元件不同，第二參考元件被設置為產生參考電位時的與第一電阻狀態不同的第二電阻狀態。

發明效果

如上所述，本公開可以提供一種新穎且改進的控制電路、半導體存儲器設備、信息處理設備和控制方法，其能夠在抑制功耗增加和成本增加的同時可靠地產生參考電位。

注意，上述效果不一定是限制性的，并且本說明書中所示的任何效果或可以從本說明書中理解的其他效果可以與上述效果一起展示，或者代替上述效果。

附圖說明