[發明專利]控制電路、半導體存儲器設備、信息處理設備和控制方法

有效

• 申請號: 201880014812.8
• 申請日: 2018-02-14
• 公開（公告）號: CN110352457B
• 公開（公告）日: 2023-09-15
• 發明（設計）人: 手塚宙之
• 申請（專利權）人: 索尼半導體解決方案公司
• 主分類號: G11C11/16
• 分類號: G11C11/16;G11C7/04;G11C13/00
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 吳孟秋

1.一種控制電路，所述控制電路對第一參考元件和第二參考元件單獨執行寫入處理，所述第一參考元件被設置為產生用于讀取來自存儲器元件的數據的參考電位時的第一電阻狀態，所述第二參考元件與所述第一參考元件不同，所述第二參考元件被設置為產生所述參考電位時的與所述第一電阻狀態不同的第二電阻狀態，

其中，對其中發生讀取干擾的所述第一參考元件和所述第二參考元件中的一個參考元件的寫入處理的頻率與對其中未發生所述讀取干擾的所述第一參考元件和所述第二參考元件中的另一參考元件的寫入處理的頻率相比增加地更多。

2.根據權利要求1所述的控制電路，其中，每次對其中發生所述讀取干擾的所述一個參考元件的寫入處理的次數達到預定值時，還執行對其中未發生所述讀取干擾的所述另一參考元件的寫入處理。

3.根據權利要求1所述的控制電路，其中，每次對其中發生所述讀取干擾的所述一個參考元件的寫入處理的次數達到預定值時，僅執行對其中未發生所述讀取干擾的所述另一參考元件的寫入處理。

4.根據權利要求2所述的控制電路，其中，根據所述第一參考元件和所述第二參考元件周圍的溫度改變所述預定值。

5.根據權利要求4所述的控制電路，其中，在所述溫度等于或高于預定溫度的情況與所述溫度低于所述預定溫度的情況之間改變所述預定值。

6.一種半導體存儲器設備，包括：

存儲器元件；

第一參考元件，被設置為產生用于讀取來自所述存儲器元件的數據的參考電位時的第一電阻狀態；

與所述第一參考元件不同的第二參考元件，所述第二參考元件被設置為產生所述參考電位時的與所述第一電阻狀態不同的第二電阻狀態；以及

控制電路，對所述第一參考元件和所述第二參考元件分別執行寫入處理，

其中，所述控制電路對其中發生讀取干擾的所述第一參考元件和所述第二參考元件中的一個參考元件的寫入處理的頻率與對其中未發生所述讀取干擾的所述第一參考元件和所述第二參考元件中的另一參考元件的寫入處理的頻率相比增加地更多。

7.根據權利要求6所述的半導體存儲器設備，其中，每次對其中發生所述讀取干擾的所述一個參考元件的寫入處理的次數達到預定值時，所述控制電路還執行對其中未發生所述讀取干擾的所述另一參考元件的寫入處理。

8.根據權利要求6所述的半導體存儲器設備，其中，每次對其中發生所述讀取干擾的所述一個參考元件的寫入處理的次數達到預定值時，所述控制電路僅執行對其中未發生所述讀取干擾的所述另一參考元件的寫入處理。

9.根據權利要求7所述的半導體存儲器設備，其中，所述控制電路根據所述第一參考元件和所述第二參考元件周圍的溫度改變所述預定值。

10.根據權利要求9所述的半導體存儲器設備，其中，所述控制電路在所述溫度等于或高于預定溫度的情況與所述溫度低于所述預定溫度的情況之間改變所述預定值。

11.根據權利要求6所述的半導體存儲器設備，其中，所述存儲器元件是可變電阻存儲器元件。

12.根據權利要求6所述的半導體存儲器設備，其中，所述存儲器元件是可變磁阻存儲器元件。

13.一種信息處理設備，包括至少一個根據權利要求6所述的半導體存儲器設備。

14.一種控制方法，用于由處理器單獨地執行對第一參考元件和第二參考元件的寫入處理，所述第一參考元件被設置為產生用于讀取來自存儲器元件的數據的參考電位時的第一電阻狀態，所述第二參考元件與所述第一參考元件不同，所述第二參考元件被設置為產生所述參考電位時的與所述第一電阻狀態不同的第二電阻狀態，

其中，對其中發生讀取干擾的所述第一參考元件和所述第二參考元件中的一個參考元件的寫入處理的頻率與對其中未發生所述讀取干擾的所述第一參考元件和所述第二參考元件中的另一參考元件的寫入處理的頻率相比增加地更多。