[發明專利]通過圖案形成裝置上的有限厚度的結構確定輻射的散射的方法

有效

• 申請號: 201880013152.1
• 申請日: 2018-02-13
• 公開（公告）號: CN110337614B
• 公開（公告）日: 2021-12-10
• 發明（設計）人: 劉鵬;羅亞;曹宇;盧彥文
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G06F30/392;G06N3/08
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 張啟程

一種方法，包括：獲得設計布局的一部分的特性；確定包括或構成所述部分的圖案形成裝置的M3D的特性；通過使用計算機，使用包括樣本的訓練數據訓練神經網絡，所述樣本的特征向量包括所述部分的特性并且所述樣本的監督信號包括M3D的特性。還公開了一種方法，包括：獲得設計布局的一部分的特性；獲得使用包括或構成所述部分的圖案形成裝置的光刻過程的特性；確定所述光刻過程的結果的特性；通過使用計算機，使用包括樣本的訓練數據訓練神經網絡，所述樣本的特征向量包括所述部分的特性和所述光刻過程的特性，并且所述樣本的監督信號包括所述結果的特性。

相關申請的交叉引用

本申請基于并要求于2017年2月22日提交的題為“Methods of DeterminingScattering of Radiation by Structures of Finite Thicknesses on a PatterningDevice”的美國臨時申請No.62/462,337的優先權，所述臨時申請的公開內容通過引用其全部內容的方式并入本文。

技術領域

本文中的描述總體上涉及確定由于用于光刻過程和光刻投影設備的圖案形成裝置上的有限厚度引起的輻射的散射的方法。

背景技術

例如，光刻投影設備可以被用于集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，圖案形成裝置(例如，掩模)可以包括或提供對應于IC的單個層的圖案(“設計布局”)，并且該圖案可以被轉印到已經涂覆有輻射敏感材料(“抗蝕劑”)層的襯底(例如硅晶片)上的目標部分(例如包括一個或更多個管芯的目標部分)上，例如通過諸如經由所述圖案形成裝置上的圖案輻射所述目標部分的方法。通常，單個襯底包括多個相鄰目標部分，所述圖案被光刻投影設備連續地、以一次一個目標部分的方式轉印至多個相鄰目標部分。在一種類型的光刻投影設備中，整個圖案形成裝置上的圖案被一次性轉印到一個目標部分上；這樣的設備通常稱作為步進機。在一種替代的設備(通常稱為步進掃描設備)中，投影束沿給定的參考方向(“掃描”方向)在圖案形成裝置之上掃描，同時與所述參考方向平行或反向平行地同步移動襯底。圖案形成裝置上的圖案的不同部分被逐漸地轉印到一個目標部分上。因為通常光刻投影設備將具有縮小比例M(例如，4)，所以襯底被移動的速率F將是投影束掃描圖案形成裝置的速率的1/M倍。關于本文描述的光刻裝置的更多信息可以從例如US 6,046,792中收集到，所述文獻通過引用并入本文中。

在將圖案從圖案形成裝置轉印到襯底之前，襯底可能經歷各種工序，諸如涂底料、抗蝕劑涂覆以及軟焙烤。在曝光之后，襯底可能經歷其它工序(“曝光后工序”)，諸如曝光后焙烤(PEB)、顯影、硬焙烤以及對所轉印的圖案的測量/檢查。這一系列的工序被用作為制造器件(例如IC)的單個層的基礎。之后襯底可能經歷各種過程，諸如蝕刻、離子注入(摻雜)、金屬化、氧化、化學機械拋光等，所有的這些過程都旨在最終完成器件的單個層。如果器件需要多個層，則針對每一層重復全部工序或其變形。最終，器件將存在于襯底上的每一目標部分中。之后通過諸如切片或切割等技術，使這些器件彼此分離，據此單個的器件可以被安裝在載體上，連接至引腳等。

因此，制造器件(諸如半導體器件)典型地涉及使用多個制作過程處理襯底(例如，半導體晶片)，以形成所述器件的各種特征和多個層。這些層和特征典型地使用例如沉積、光刻、蝕刻、化學機械拋光、離子注入來制造和處理。可以在襯底上的多個管芯上制作多個器件，之后將它們分離成單個的器件。這種器件制造過程可被認為是圖案化過程。圖案化過程涉及使用光刻設備中的圖案形成裝置的圖案化步驟，諸如光學和/或納米壓印光刻，以將圖案形成裝置上的圖案轉印到襯底上，而且圖案化過程典型地但可選地涉及一個或更多個有關的圖案處理步驟，諸如通過顯影設備進行抗蝕劑顯影、使用焙烤工具來焙烤襯底、使用蝕刻設備由該圖案進行蝕刻等。

如所提及的，光刻術是器件(諸如IC)制造中的核心步驟，其中，形成于襯底上的圖案限定器件的功能元件，諸如微處理器、存儲器芯片等。類似的光刻技術也用于形成平板顯示器、微機電系統(MEMS)和其它器件。