[發(fā)明專利]圓筒型濺射靶及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880012802.0
• 申請日: 2018-04-03
• 公開（公告）號: CN110337507A
• 公開（公告）日: 2019-10-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 三島昭史;加藤慎司
• 申請（專利權(quán)）人: 三菱綜合材料株式會社
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 刁興利;康泉

1.一種圓筒型濺射靶的制造方法，其將圓筒型襯管的外周面和圓筒型靶的內(nèi)周面設(shè)為接合面，并由接合材料來填充設(shè)置于接合面之間的間隙并進(jìn)行接合，所述圓筒型濺射靶的制造方法的特征在于，包括：

基底處理工序，在作為所述圓筒型靶的接合面的內(nèi)周面和作為所述圓筒型襯管的接合面的外周面中的至少一方涂布基底處理接合材料以形成基底處理層；及

接合工序，在基底處理工序之后，將填充用接合材料填充到所述圓筒型靶與插入到該圓筒型靶內(nèi)的所述襯管之間的間隙中并進(jìn)行固化，

所述基底處理接合材料的熔點(diǎn)或固相線溫度超過所述填充用接合材料的熔點(diǎn)或固相線溫度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圓筒型濺射靶的制造方法，其特征在于，

所述基底處理接合材料是錫含量為90質(zhì)量％以上的純錫或錫合金，所述填充用接合材料是銦含量為85質(zhì)量％以上的純銦或銦合金。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的圓筒型濺射靶的制造方法，其特征在于，

在非活性氣氛中實(shí)施所述基底處理工序或所述接合工序中的至少一個(gè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的圓筒型濺射靶的制造方法，其特征在于，

所述接合工序具備：

再加熱工序，將所述圓筒型靶和插入到該圓筒型靶內(nèi)的所述襯管，以所述填充用接合材料的熔點(diǎn)或固相線溫度以上且低于所述基底處理接合材料的熔點(diǎn)或固相線溫度的溫度進(jìn)行再加熱。

5.一種圓筒型濺射靶，其特征在于，

在圓筒型靶內(nèi)插入圓筒型襯管，在圓筒型襯管的外周面與圓筒型靶的內(nèi)周面之間形成有包含銦和錫的接合部，在相對于所述圓筒型襯管的中心軸垂直的所述接合部的剖面上，在將從圓筒型靶與所述接合部的接合界面及圓筒型襯管與所述接合部的接合界面中的至少一方的接合界面向接合部內(nèi)部10μm厚度的范圍內(nèi)的錫濃度設(shè)為S1質(zhì)量％、且將所述接合部的厚度方向的中央部的錫濃度設(shè)為S2質(zhì)量％時(shí)，S1/S2≥1.5。