[發明專利]具有地塞米松涂層的可植入電極

有效

• 申請號: 201880011117.6
• 申請日: 2018-02-07
• 公開（公告）號: CN110300615B
• 公開（公告）日: 2023-08-08
• 發明（設計）人: 托馬斯·特立塔特
• 申請（專利權）人: MED-EL電氣醫療器械有限公司
• 主分類號: A61N1/05
• 分類號: A61N1/05;A61K9/00
• 代理公司: 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372
• 代理人: 吳大建;劉光明

1.一種在具有涂層的電極載體上形成具有電極觸點的可植入電極的方法，所述方法包括：

提供溶解在溶劑中的硅樹脂和地塞米松的溶液；

將所述溶液施加到電極載體或基質上；和

使所述溶液經受兩步驟的熱處理過程，所述熱處理過程包括在50℃至90℃的溫度之間的1至3小時的第一熱處理，和在90℃至140℃的升高的溫度之間的2小時的第二熱處理，以形成涂層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，將所述涂層直接施加在所述電極載體上。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，將所述涂層施加到所述基質上，所述方法進一步包括將所述涂層從所述基質轉移到所述電極載體。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，將所述涂層施加到所述基質上，所述方法進一步包括將被涂覆的基質固定到所述電極載體上。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其中，使用非接觸式微分配系統或接觸分配系統來施加所述溶液。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述非接觸式微分配系統包括管道噴射分配系統，噴射形成分配系統，動態液滴分配系統或其組合。

7.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其中，所述涂層以環、線、斑點或其組合的形狀被施加到所述電極載體或所述基質上，并被施加在至少兩個電極觸點之間。

8.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其中，通過將硅樹脂和地塞米松溶解在溶劑中并且向溶劑中加入非溶劑形成所述溶液，所述非溶劑與硅樹脂混溶，地塞米松在非溶劑中的溶解性低于5mg/ml。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，在將硅樹脂和地塞米松溶解在溶劑中之前，將所述非溶劑添加到所述溶劑中以形成溶劑混合物。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，將地塞米松添加到所述溶劑混合物中，然后將硅樹脂添加到所述溶劑混合物中。

11.根據權利要求8所述的方法，其中，在將硅樹脂和地塞米松溶解在溶劑中之后，將所述非溶劑添加到所述溶劑中。

12.根據權利要求8所述的方法，其中，所述非溶劑的添加量低于所述溶液中地塞米松的飽和度的10％的體積百分比。

13.根據權利要求8所述的方法，其中，所述非溶劑的添加量低于所述溶液中地塞米松的飽和度的5％的體積百分比。

14.根據權利要求8所述的方法，其中，所述非溶劑包括未取代或取代的脂族、環脂族或芳族烴。

15.根據權利要求14所述的方法，其中，所述非溶劑包括正己烷或其異構體，正戊烷或其異構體，環戊烷，正庚烷或其異構體，正辛烷或其異構體，正壬烷或其異構體，正癸烷或其異構體，正十二烷或其異構體，苯，甲苯，二甲苯或其組合。

16.根據權利要求8所述的方法，其中，所述非溶劑是正己烷，所述溶劑是四氫呋喃，并且所述溶液中四氫呋喃與正己烷的體積比大約為77/23。

17.根據權利要求8所述的方法，其中，地塞米松在所述非溶劑中的溶解度低于1mg/ml。

18.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其中，在所述溶液中總固體濃度為6％至10％的重量百分比。

19.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其中，所述涂層中的地塞米松濃度為所述涂層的重量的10％至20％。