[發(fā)明專利]與電極載體一起使用的地塞米松涂層

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880011109.1
• 申請日: 2018-02-07
• 公開（公告）號: CN110267706B
• 公開（公告）日: 2023-06-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 托馬斯·特立塔特
• 申請（專利權(quán)）人: MED-EL電氣醫(yī)療器械有限公司
• 主分類號: A61N1/05
• 分類號: A61N1/05
• 代理公司: 北京聿宏知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11372
• 代理人: 吳大建;劉光明

1.一種在用于耳蝸植入系統(tǒng)中的電極載體上形成硅樹脂涂層的方法，所述方法包括：

將硅樹脂和地塞米松溶解在溶劑內(nèi)以形成溶液；

將非溶劑添加到所述溶劑，所述非溶劑與所述硅樹脂可混溶，所述地塞米松在所述非溶劑內(nèi)的溶解度低于5mg/ml；和

將所述溶液固化以在所述電極載體上形成硅樹脂涂層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在將所述硅樹脂和所述地塞米松溶解在所述溶劑中以形成所述溶液之前，將所述非溶劑添加到所述溶劑以形成溶劑混合物。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，將所述地塞米松添加到所述溶劑混合物，并且然后將所述硅樹脂添加到所述溶劑混合物。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在將所述硅樹脂和所述地塞米松溶解在所述溶劑中之后，將所述非溶劑添加到所述溶劑。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的方法，其中，所述非溶劑的添加量低于所述溶液中所述地塞米松飽和度的10％的體積百分比。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的方法，其中，所述非溶劑的添加量低于所述溶液中所述地塞米松飽和度的5％的體積百分比。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的方法，其中，在所述溶液中總固體濃度在6％至10％的重量百分比之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的方法，其中，所述涂層中所述地塞米松的濃度為所述涂層重量的10％至20％之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的方法，其中，所述溶劑包括四氫呋喃。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的方法，其中，所述非溶劑包括未取代或取代的脂族、脂環(huán)族或芳族烴。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述非溶劑包括正己烷或其異構(gòu)體，正戊烷或其異構(gòu)體，環(huán)戊烷，正庚烷或其異構(gòu)體，正辛烷或其異構(gòu)體，正壬烷或其異構(gòu)體，正癸烷或其異構(gòu)體，正十二烷或其異構(gòu)體，苯，甲苯，二甲苯或其組合。

12.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的方法，其中，所述非溶劑是正己烷而所述溶劑是四氫呋喃，并且在所示溶液中所述四氫呋喃與所述正己烷的體積比為77/23。

13.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的方法，其中，所述地塞米松在所述非溶劑中的溶解度低于1mg/ml。

14.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的方法，進一步包括在固化所述溶液之前將所述溶液施加到所述電極載體上。

15.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的方法，進一步包括在固化所述溶液之前將所述溶液施加到基質(zhì)上，然后將所述涂層從所述基質(zhì)轉(zhuǎn)移到所述電極載體。

16.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的方法，進一步包括在固化所述溶液之前將所述溶液施加到基質(zhì)上，然后將所述基質(zhì)與所述涂層固定到所述電極載體。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，將所述涂層以至少兩個電極觸點之間的環(huán)、線、斑點或其組合的形狀施加到所述電極載體。

18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，使用非接觸式微分配系統(tǒng)或接觸分配系統(tǒng)來施加所述溶液。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述非接觸式微分配系統(tǒng)包括管道噴射分配系統(tǒng)，噴射形成分配系統(tǒng)，動態(tài)液滴分配系統(tǒng)或其組合。