[發(fā)明專利]芯片電阻器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880007643.5
• 申請日: 2018-03-13
• 公開（公告）號(hào): CN110199363B
• 公開（公告）日: 2022-05-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吉田則隆;松島賢一
• 申請（專利權(quán)）人: 松下知識(shí)產(chǎn)權(quán)經(jīng)營株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01C7/00
• 分類號(hào): H01C7/00
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 韓丁

芯片電阻具備：絕緣基板，由氧化鋁構(gòu)成；一對電極，被設(shè)置于絕緣基板的上表面；玻璃釉層，被設(shè)置于絕緣基板的上表面并由玻璃構(gòu)成；和電阻體，被設(shè)置于玻璃釉層的上表面。電阻體形成于一對電極之間。玻璃釉層的玻璃的軟化點(diǎn)為580℃～760℃。在該芯片電阻中，能夠防止電阻體剝離。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及芯片電阻器。

背景技術(shù)

專利文獻(xiàn)1中公開的現(xiàn)有的芯片電阻器具備：絕緣基板，由氧化鋁構(gòu)成；玻璃層，被設(shè)置于該絕緣基板的上表面的中央部；一對電極，被設(shè)置于絕緣基板的上表面的兩端部；和電阻體，被設(shè)置于玻璃層的上表面，并且形成于一對電極之間。在該芯片電阻器中，在將電阻體燒成時(shí)電阻體可能從玻璃層剝落。

在先技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：JP特開平6-53005號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

芯片電阻具備：絕緣基板，由氧化鋁構(gòu)成；一對電極，被設(shè)置于絕緣基板的上表面；玻璃釉層，被設(shè)置于絕緣基板的上表面并由玻璃構(gòu)成；和電阻體，被設(shè)置于玻璃釉層的上表面。電阻體形成于一對電極之間。玻璃釉層的玻璃的軟化點(diǎn)為580℃～760℃。

在該芯片電阻中，能夠防止電阻體剝離。

附圖說明

圖1是實(shí)施方式中的芯片電阻器的剖視圖。

圖2是表示構(gòu)成實(shí)施方式中的芯片電阻器的玻璃釉層的玻璃的軟化點(diǎn)與電阻體的緊貼性的關(guān)系的圖。

具體實(shí)施方式

圖1是實(shí)施方式中的芯片電阻器501的剖視圖。芯片電阻器501具備：由氧化鋁構(gòu)成的絕緣基板1、被設(shè)置于絕緣基板1的上表面101的兩端部的一對電極12、22、被設(shè)置于絕緣基板1的上表面101的中央部的玻璃釉層3、被設(shè)置于玻璃釉層3的上表面的電阻體4、覆蓋一對電極12、22的一部分和電阻體4的保護(hù)膜5、分別設(shè)置于絕緣基板1的兩端面的一對端面電極16、26、和分別形成于一對端面電極16、26的表面的鍍層17、27。電阻體4形成于一對電極12、22之間并連接于電極12、22。端面電極16、26分別電連接于一對電極12、22。

絕緣基板1由氧化鋁(Al₂O₃)構(gòu)成，具有矩形形狀。

一對電極12、22通過在絕緣基板1的上表面101印刷并燒成包含銀、銀鈀或者銅的厚膜材料而形成。另外，也可以在絕緣基板1的下表面201的兩端部形成一對下表面電極12a、22a。

玻璃釉層3由玻璃3a、和分散于玻璃3a的填料3b構(gòu)成，被設(shè)置于絕緣基板1的上表面101的中央部。玻璃釉層3的厚度為5μm以上。

玻璃釉層3也可以形成于絕緣基板1的上表面101整面。玻璃釉層3也可以不與一對電極12、22重疊。

玻璃3a的軟化點(diǎn)為580℃～760℃，能夠適合使用包含堿金屬氧化物R₂O的SiO₂-B₂O₃-ZnO-R₂O系玻璃或者SiO₂-B₂O₃-R₂O系玻璃。

對于填料3b，為了使玻璃釉層3的熱膨脹系數(shù)接近于絕緣基板1，氧化鋁粉末是適合的，其含量相對于玻璃釉層3整體優(yōu)選為15vol％～40vol％。

電阻體4被設(shè)置于玻璃釉層3的上表面103，并且形成于一對電極12、22之間。電阻體4由CuNi構(gòu)成，印刷多次含有CuNi的電阻糊膏，在氮?dú)猸h(huán)境中以950℃進(jìn)行燒成而形成。此外，電阻體4的厚度為50μm以上以使得電阻值變低。