[發(fā)明專利]芯片電阻器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201880007643.5 | 申請(qǐng)日： | 2018-03-13 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN110199363B | 公開（公告）日： | 2022-05-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 吉田則隆;松島賢一 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 松下知識(shí)產(chǎn)權(quán)經(jīng)營(yíng)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01C7/00 | 分類號(hào)： | H01C7/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 韓丁 |
| 地址： | 日本國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 芯片 電阻器 | ||
1.一種芯片電阻器，具備：
絕緣基板，由氧化鋁構(gòu)成；
一對(duì)電極，被設(shè)置于所述絕緣基板的上表面；
玻璃釉層，被設(shè)置于所述絕緣基板的所述上表面并由包含堿金屬氧化物R2O的SiO2-B2O3-R2O系玻璃構(gòu)成；和
電阻體，被設(shè)置于所述玻璃釉層的上表面，并且形成于所述一對(duì)電極之間，
所述玻璃釉層的所述玻璃的軟化點(diǎn)為580℃～760℃，
所述玻璃釉層含有由氧化鋁粉末構(gòu)成的填料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片電阻器，其中，
所述玻璃釉層含有15vol％～40vol％的所述填料。
3.一種芯片電阻器，具備：
絕緣基板，由氧化鋁構(gòu)成；
一對(duì)電極，被設(shè)置于所述絕緣基板的上表面；
玻璃釉層，被設(shè)置于所述絕緣基板的所述上表面并由玻璃構(gòu)成；和
電阻體，被設(shè)置于所述玻璃釉層的上表面，并且形成于所述一對(duì)電極之間，
所述玻璃釉層的所述玻璃的軟化點(diǎn)為580℃～630℃，
所述玻璃釉層含有由氧化鋁粉末構(gòu)成的填料。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的芯片電阻器，其中，
所述玻璃釉層含有15vol％～40vol％的所述填料。
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