[發(fā)明專利]等離子體處理裝置及等離子體處理方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880005229.0
• 申請日: 2018-10-26
• 公開（公告）號: CN111373511A
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 巖瀨拓;荒瀨高男;寺倉聰志;渡邊勇人;森政士
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社日立高新技術(shù)
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 李國華

1.一種等離子體處理方法，在該等離子體處理方法中，使用等離子體對硅氧化膜與多晶硅交替層疊而得到的第一層疊膜或硅氧化膜與硅氮化膜交替層疊而得到的第二層疊膜進(jìn)行蝕刻，其特征在于，

使用溴化氫氣體、氫氟烴氣體以及含氮元素氣體的混合氣體來對所述第一層疊膜或所述第二層疊膜進(jìn)行蝕刻。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于，

所述氫氟烴氣體是氟甲烷(CH₃F)氣體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于，

所述含氮元素氣體是氮氣。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體處理方法，其特征在于，

所述含氮元素氣體是氮氣。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于，

將形成有所述第一層疊膜或所述第二層疊膜的試料設(shè)為規(guī)定的溫度而進(jìn)行蝕刻，

所述規(guī)定的溫度是促進(jìn)向所述第一層疊膜或所述第二層疊膜的表面形成溴化銨的溫度。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體處理方法，其特征在于，

將形成有所述第一層疊膜或所述第二層疊膜的試料設(shè)為規(guī)定的溫度而進(jìn)行蝕刻，

所述規(guī)定的溫度是促進(jìn)向所述第一層疊膜或所述第二層疊膜的表面形成溴化銨的溫度。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的等離子體處理方法，其特征在于，

所述規(guī)定的溫度為20℃以下。

8.一種等離子體處理方法，在該等離子體處理方法中，使用等離子體對硅氧化膜與多晶硅交替層疊而得到的層疊膜進(jìn)行蝕刻，其特征在于，

使用溴化氫氣體、氟甲烷(CH₃F)氣體以及氮氣的混合氣體來對所述層疊膜進(jìn)行蝕刻。

9.一種等離子體處理方法，在該等離子體處理方法中，使用等離子體對硅氧化膜與硅氮化膜交替層疊而得到的層疊膜進(jìn)行蝕刻，其特征在于，

使用溴化氫氣體、氟甲烷(CH₃F)氣體以及氮氣的混合氣體來對所述層疊膜進(jìn)行蝕刻。

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的等離子體處理方法，其特征在于，

將形成有所述層疊膜的試料設(shè)為規(guī)定的溫度而進(jìn)行蝕刻，

所述規(guī)定的溫度是促進(jìn)向所述層疊膜的表面形成溴化銨的溫度。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的等離子體處理方法，其特征在于，

所述規(guī)定的溫度為20℃以下。

12.一種等離子體處理方法，在該等離子體處理方法中，使用等離子體對硅氧化膜與多晶硅交替層疊而得到的層疊膜或硅氧化膜與硅氮化膜交替層疊而得到的層疊膜進(jìn)行蝕刻，其特征在于，

使用氟甲烷(CH₃F)氣體、氮氣以及氯氣的混合氣體、或者氟甲烷(CH₃F)氣體、氮氣以及三氯化硼(BCl₃)氣體的混合氣體對所述層疊膜進(jìn)行蝕刻。

13.一種等離子體處理方法，在該等離子體處理方法中，使用等離子體對硅氧化膜與金屬膜交替層疊而得到的層疊膜進(jìn)行蝕刻，其特征在于，

使用溴化氫氣體、氟甲烷(CH₃F)氣體以及含氮元素氣體的混合氣體對所述層疊膜進(jìn)行蝕刻。

14.根據(jù)權(quán)利要求8至13中任一項所記載的等離子體處理方法，其特征在于，

所述層疊膜的蝕刻是與3-D NAND閃速存儲器的制造相關(guān)的蝕刻。