[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201880002960.8
• 申請日: 2018-05-24
• 公開（公告）號: CN109564877B
• 公開（公告）日: 2023-08-25
• 發明（設計）人: 生田晃久;櫻井浩司;金井悟
• 申請（專利權）人: 新唐科技日本株式會社
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/786
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 呂文卓

1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

半導體層，隔著埋入絕緣膜而形成在半導體基板的一主面側的上部；

第一導電型的體區域，形成在所述半導體層的上部；

第二導電型的漏極區域，在所述半導體層的上部從所述體區域遠離而形成；

第二導電型的源極區域，形成在所述體區域的表面；

第二導電型的漂移區域，形成在所述半導體層內的所述漏極區域與所述體區域之間；

絕緣體區域，在所述半導體層的表面的所述體區域與所述漏極區域之間以重疊在所述漂移區域上的方式形成；

柵極絕緣膜，從所述半導體層的表面的所述體區域上的一部分形成到所述絕緣體區域的端部；

柵電極，形成在所述柵極絕緣膜上到所述絕緣體區域上；以及

電極，在所述源極區域上及所述漏極區域上分別形成；

在平面視圖下，所述源極區域和所述漏極區域沿著相對置的長度最長的方向即長邊方向而伸長，并在與所述長邊方向正交的方向即短邊方向上排列配置；

在平面視圖下，所述體區域配置為，在所述長邊方向上伸長并被所述漂移區域及所述絕緣體區域包圍；

隨著從所述體區域的所述長邊方向的中央部朝向末端部，所述絕緣體區域與所述體區域在所述短邊方向上的間隔變窄。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

在平面視圖下，在隨著從所述體區域的所述長邊方向的中央部朝向末端部而所述絕緣體區域與所述體區域在所述短邊方向上的間隔變窄的頂端，所述絕緣體區域與所述體區域接觸。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

在平面視圖下，隨著從所述體區域的所述長邊方向的中央部朝向末端部，所述絕緣體區域開口的區域的所述短邊方向的寬度變窄，從而所述絕緣體區域與所述體區域在所述短邊方向上的間隔變窄。

4.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

半導體層，隔著埋入絕緣膜而形成在半導體基板的一主面側的上部；

第一導電型的體區域，形成在所述半導體層的上部；

第二導電型的漏極區域，在所述半導體層的上部從所述體區域遠離而形成；

第二導電型的源極區域，形成在所述體區域的表面；

第二導電型的漂移區域，形成在所述半導體層內的所述漏極區域與所述體區域之間；

絕緣體區域，形成在所述半導體層的表面的所述體區域與所述漏極區域之間；

柵極絕緣膜，從所述半導體層的表面的所述體區域上的一部分形成到所述絕緣體區域的端部；

柵電極，形成在所述柵極絕緣膜上到所述絕緣體區域上；以及

電極，在所述源極區域上及所述漏極區域上分別形成；

在平面視圖下，所述源極區域和所述漏極區域沿著相對置的長度最長的方向即長邊方向而伸長，并在與所述長邊方向正交的方向即短邊方向上排列配置；

在平面視圖下，所述體區域和所述絕緣體區域在所述長邊方向上伸長且呈一方將另一方的周圍包圍的配置，并且，表示各自的區域端部的端線具有在所述柵電極下方通過的所述絕緣體區域的第一端線和所述體區域的第二端線；

所述第二端線在所述體區域到所述半導體層之間形成雜質濃度或導電型不同的邊界線；

在平面視圖下，所述第一端線和所述第二端線都具有沿著所述長邊方向而對置的直線部、和將所述長邊方向的直線部的末端間用以鈍角的頂角而彎曲的折線或圓弧進行連結的曲線部；

在所述直線部，所述體區域的所述第二端線具有與所述絕緣體區域的所述第一端線相比在所述短邊方向上更位于所述源極區域側的部分；

在所述曲線部，所述絕緣體區域的所述第一端線具有與所述體區域的所述第二端線相比在所述長邊方向上更位于所述源極區域側的部分；

所述第一端線和所述第二端線具有交叉點；

在所述交叉點，隨著朝向所述長邊方向而間隔變窄的所述第一端線和所述第二端線所夾的角度是銳角。