[發明專利]電子部件的制造方法有效
| 申請號： | 201880002930.7 | 申請日： | 2018-03-22 |
| 公開（公告）號： | CN109716506B | 公開（公告）日： | 2023-09-22 |
| 發明（設計）人： | 廣庭大輔;栗本孝志;植田昌久 | 申請（專利權）人： | 株式會社愛發科 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;C23F1/12;C23F4/00;C25D5/34;H01L21/3065;H01L21/3205;H01L23/12;H01L23/522 |
| 代理公司： | 成都超凡明遠知識產權代理有限公司 51258 | 代理人： | 魏彥;洪玉姬 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電子 部件 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種電子部件的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：
在基板上形成第一金屬層；
在所述第一金屬層上形成第二金屬層；
在所述第二金屬層上形成由有機樹脂層構成的掩模；
使用含氟的反應氣體，經由所述掩模對所述第二金屬層進行等離子蝕刻，從而在由所述有機樹脂層和所述第二金屬層層壓而成的層壓膜上形成凹部；
對所述有機樹脂層的所述凹部的因形成有疏水性的氟化物而呈疏水性的內部表面進行通過去除所述氟化物而使其呈親水性的氧灰化處理；
在進行了所述氧灰化處理后，通過電解電鍍處理在所述凹部內形成第三金屬層。
2.根據權利要求1所述的電子部件的制造方法，其特征在于，
所述第二金屬層含有鈦。
3.根據權利要求1或2所述的電子部件的制造方法，其特征在于，
將氧、氮及四氟化碳的混合氣體用作所述反應氣體，進行所述蝕刻的工序。
4.根據權利要求1或2所述的電子部件的制造方法，其特征在于，
使用以氧自由基為主的氧等離子，進行所述氧灰化處理的工序。
5.根據權利要求3所述的電子部件的制造方法，其特征在于，
使用以氧自由基為主的氧等離子，進行所述氧灰化處理的工序。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
