[發明專利]圖像傳感器模組及其形成方法在審
| 申請號: | 201880002617.3 | 申請日: | 2018-09-21 |
| 公開(公告)號: | CN111295759A | 公開(公告)日: | 2020-06-16 |
| 發明(設計)人: | 劉孟彬 | 申請(專利權)人: | 中芯集成電路(寧波)有限公司上海分公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 上海知錦知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人: | 高靜;李麗 |
| 地址: | 中國(上海)自由貿易試驗*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖像傳感器 模組 及其 形成 方法 | ||
本發明實施例提供一種圖像傳感器模組及形成方法。在此形成方法中,在第一載體晶圓上貼附第一晶圓的第一表面;所述第一晶圓具有多個第一芯片;在第一晶圓的第二表面上形成永久鍵合層;其永久鍵合層包括至少圖形化鍵合層或透明鍵合層;使第二芯片通過中間的永久鍵合層分別與第一晶圓的第一芯片鍵合。第一芯片是濾光片芯片和圖像傳感器芯片中的一種。第二芯片是濾光片芯片和圖像傳感器芯片中的另一種。圖像傳感器具有面向濾光片芯片的感光區。本發明實施例有利于使封裝結構具有芯片的尺寸,且有利于避免圖像傳感器的感光區受到污染,提高封裝結構的良率。
技術領域
本發明實施例涉及圖像傳感器制造領域,具體是涉及一種圖像傳感器模組及其形成方法。
背景技術
攝像機模組廣泛用于各種移動終端,例如,移動電話、個人數碼助手、及筆記本電腦。傳統攝像機模組的形成一般是首先使互補金屬氧化物半導體(CMOS)圖像傳感器芯片貼附在印刷集成電路版(PCB)上,然后用一支架來安裝紅外線濾光片,經過點膠工藝使支架和紅外線濾光片同圖像傳感器鍵合。最后使馬達和鏡片安裝在支架上。
然而在封裝期間,這樣的制造過程使PCB上的圖像傳感器直接暴露在周圍環境中,其感光區很容易被污染,從而造成圖像缺陷。且在圖像傳感器同PCB貼附后,支架和其支架上的紅外線濾光片可能會同圖像傳感器鍵合,從而對支架的結構設計和尺寸造成進一步限制。
本發明公開的圖像傳感器模組及形成方法提供了解決上述問題及其它有關問題的方法。
發明內容
本發明通過各種實施例提供一種圖像傳感器模組的形成方法。在此方法中,使第一晶圓的第一表面貼附在第一載體晶圓上;第一晶圓具有多個第一芯片;在第一晶圓的第二表面上形成永久鍵合層;永久鍵合層包括至少圖形化鍵合層或透明鍵合層;使第二芯片通過中間的永久鍵合層同第一晶圓上的芯片鍵合。第一芯片是圖像傳感器芯片和濾光片芯片中的一種。第二芯片是圖像傳感器芯片和濾光片芯片中的另一種。并且,圖像傳感器具有面向濾光片芯片的感光區。
本發明還通過各種實施例提供一種圖像傳感器模組。
本領域技術人員可以通過本專利中具體實施方式,權利要求書和示意圖,來理解本發明中各種實施例。
附圖說明
以下附圖僅為解釋各公開實施例的示例圖,而不用來限制本發明的權利范圍。
圖1-11示出了本發明一種示范圖像傳感器模組的形成方法依次實施所獲得結構的剖面示意圖。
圖12示出了本發明圖像傳感器模組的一示范形成方法的流程圖。
圖13-17示出了本發明又一種示范圖像傳感器模組的形成方法依次實施所獲得結構的剖面示意圖。
具體實施方式
為使本發明的目的,特征和優點能夠明顯易懂,下面結合附圖對本發明的具體實施例做詳細的說明。不同圖中相同的參考編號盡可能所指相同或類似部件。
本發明提供圖像傳感器模組及其形成方法。例如,第一晶圓具有多個第一芯片,并且多個第一芯片的間距已預定。第一晶圓具有第一表面。可使其第一表面(如背面)貼附于一個載體晶圓。在第一晶圓的第二表面(例如,第二面)上可以形成永久鍵合層。永久鍵合層可以包括至少圖形化鍵合層或透明鍵合層。可以使第二芯片通過中間的永久鍵合層同第一晶圓中的第一芯片鍵合。
在本發明的各實施例中,第一芯片是圖像傳感器芯片和濾光片芯片中的一種。第二芯片是圖像傳感器芯片和濾光片芯片中的另一種。圖像傳感器具有面向濾光片芯片的感光區。
為了便于說明,圖像傳感器晶圓/芯片作為第一晶圓/芯片的具體例子;濾光片晶圓/芯片作為第二晶圓/芯片的具體例子。根據本發明的各實施例,圖像傳感器模組及形成方法中,第一芯片和第二芯片的作用和配置可以互換。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





