[發(fā)明專利]圖像傳感器模組及其形成方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201880002617.3
• 申請日: 2018-09-21
• 公開（公告）號: CN111295759A
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉孟彬
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯集成電路（寧波）有限公司上海分公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 上海知錦知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31327
• 代理人: 高靜;李麗

1.一種圖像傳感器模組的形成方法，其特征在于，包括：

在第一載體晶圓上貼附第一晶圓的第一表面，所述第一晶圓具有多個第一芯片；

在第一晶圓的第二表面上形成永久鍵合層，所述永久鍵合層包括至少圖形化鍵合層或透明鍵合層；

使第二芯片分別通過中間的永久鍵合層與第一晶圓的第一芯片鍵合；

所述第一芯片是圖像傳感器芯片和濾光片芯片中的一種,所述第二芯片是圖像傳感器芯片和濾光片芯片中的另一種；圖像傳感器具有面向濾光片芯片的感光區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器模組的形成方法，其特征在于，

第一芯片是圖像傳感器芯片，第一芯片的第二表面包括：

感光區(qū)和第一芯片鍵合區(qū)上的多個連接墊；所述第一芯片與位于感光區(qū)外的永久鍵合層鍵合。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器模組的形成方法，其特征在于：

當(dāng)永久鍵合層是透明鍵合層時，第一芯片和第二芯片的間距等于或小于透明鍵合層的厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖像傳感器模組的形成方法，其特征在于：透明鍵合層包括透明膠。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器模組的形成方法，其特征在于：當(dāng)永久鍵合層是圖形化鍵合層，第一芯片、第二芯片、和圖形化鍵合層共同形成空腔；所述圖像傳感器芯片的感光區(qū)暴露于空腔內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器模組的形成方法，其特征在于，還包括：采用光刻工藝過程形成圖形化鍵合層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圖像傳感器模組的形成方法，其特征在于：圖形化鍵合層包括圖形化干膜；所述圖形化干膜的形成過程包括：

在第一芯片上形成一干膜；

采用光刻工藝過程圖形化所述干膜以形成圖形化干膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器模組的形成方法，其特征在于，還包括：

采用絲網(wǎng)印刷工藝過程形成圖形化鍵合層；所述圖形化鍵合層的材料為結(jié)構(gòu)膠、UV-雙面鍵合層、透明膠、或上述成分的組合。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器模組的形成方法，其特征在于，第一晶圓的第一表面貼附在第一載體晶圓上的過程包括：

第一晶圓的第二表面臨時貼附在第二載體晶圓上；

減薄第二載體晶圓上第一晶圓的第一表面；

完成所述減薄過程后，在第一晶圓的第一表面臨時貼附第一載體晶圓；

除去第二載體晶圓，從而暴露位于第一載體晶圓上第一晶圓的第二表面。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的圖像傳感器模組的形成方法，其特征在于：

完成減薄過程后，第一晶圓的第二表面臨時貼附在第二載體晶圓上的工藝和第一晶圓的第一表面臨時貼附在第一載體晶圓的工藝均包括：

采用靜電鍵合工藝,或者采用臨時鍵合層實現(xiàn)臨時貼附。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的圖像傳感器模組的形成方法，其特征在于，當(dāng)采用靜電鍵合工藝時，所述形成方法包括：

在第一晶圓的第二表面上形成永久鍵合層的過程包括絲網(wǎng)印刷工藝。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的圖像傳感器模組的形成方法，其特征在于：

當(dāng)使用臨時鍵合層時，所述臨時鍵合層包括熱釋放層；所述熱釋放層具有多層結(jié)構(gòu)的雙面膠層；

所述多層結(jié)構(gòu)包括發(fā)泡粘膠層、壓敏層、和夾在發(fā)泡粘膠層和壓敏層中間的聚合物膜。