[發明專利]微發光二極管裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201880001628.X
• 申請日: 2018-10-12
• 公開（公告）號: CN109496368A
• 公開（公告）日: 2019-03-19
• 發明（設計）人: 陳右儒
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/46;H01L21/78;H01L27/15
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張天舒

一種制造微發光二極管(微LED)裝置的方法，包括：形成第一基板，該第一基板包括第一硅層、第二硅層以及夾在第一硅層和第二硅層之間的氧化硅層；在第二硅層的遠離氧化硅層的一側形成多個微LED；將具有所述多個微LED的第一基板與第二基板接合；以及去除氧化硅層和第一硅層。

技術領域

本發明涉及顯示技術，更具體地，涉及制造微發光二極管裝置的方法和微發光二極管裝置。

背景技術

近年來，提出并開發了小型化的電光設備，包括微發光二極管(微LED)。基于微LED的顯示面板具有亮度高、對比度高、響應快和功耗低的優點。基于微LED的顯示技術已經在顯示領域中得到了廣泛的應用，包括智能手機和智能手表。

發明內容

一方面，本發明提供一種制造微發光二極管(微LED)裝置的方法，包括：形成第一基板，該第一基板包括第一硅層、第二硅層和夾在第一硅層和第二硅層之間的氧化硅層；在第二硅層的遠離氧化硅層的一側形成多個微LED；將具有多個微LED的第一基板與第二基板接合；以及去除氧化硅層和第一硅層。

可選地，形成第一基板包括：提供硅晶片；將氧離子通過硅晶片的表面注入硅晶片中至大于零的深度；在注入氧離子之后對硅晶片進行退火以形成氧化硅層。

可選地，去除氧化硅層和第一硅層包括通過使用氟化氫作為干蝕刻劑的干法蝕刻工藝蝕刻氧化硅層。

可選地，在蝕刻氧化硅層之后，所述方法還包括使用濕蝕刻劑蝕刻第二硅層。

可選地，去除氧化硅層和第一硅層包括通過使用包括氟化氫的酸性溶液的濕法蝕刻工藝蝕刻氧化硅層。

可選地，在將具有多個微LED的第一基板與第二基板接合，并去除氧化硅層和第一硅層之后，所述方法還包括在第二硅層的遠離多個微LED的一側形成分布式布拉格反射器。

可選地，在將具有多個微LED的第一基板與第二基板接合，并去除氧化硅層和第一硅層之前，所述方法還包括蝕刻具有多個微LED的第一基板，以形成多個發光島；其中，在蝕刻具有多個微LED的第一基板以形成多個發光島之后，將具有多個微LED的第一基板與第二基板接合；并且在將具有多個微LED的第一基板與第二基板接合之后，去除氧化硅層和第一硅層。

可選地，使用電感耦合等離子體蝕刻工藝來蝕刻具有多個微LED的第一基板以形成多個發光島；并且去除氧化硅層和第一硅層包括通過使用包括氟化氫的酸性溶液的濕法蝕刻工藝蝕刻氧化硅層。

可選地，在將具有多個微LED的第一基板與第二基板接合，并去除氧化硅層和第一硅層之后，所述方法還包括蝕刻具有多個微LED的第一基板，以形成多個發光島；其中，在將具有多個微LED的第一基板與第二基板接合之后，去除氧化硅層和第一硅層。

可選地，在第二硅層的遠離多個微LED的一側形成分布式布拉格反射器之后，蝕刻具有多個微LED的第一基板以形成多個發光島。

可選地，使用電感耦合等離子體蝕刻工藝來蝕刻具有多個微LED的第一基板以形成多個發光島；并且去除氧化硅層和第一硅層包括通過使用包括氟化氫的酸性溶液的濕法蝕刻工藝蝕刻氧化硅層。

可選地，在第二硅層的遠離多個微LED的一側形成的分布式布拉格反射器被配置為反射來自紅色發光微LED的紅光和來自綠色發光微LED的綠光。

可選地，在第二硅層的遠離多個微LED的一側形成的分布式布拉格反射器被配置為反射來自藍色發光微LED的藍光。

可選地，將氧離子通過硅晶片的表面注入硅晶片中至小于約100nm的深度；并且第二硅層形成為具有大于零且小于約100nm的厚度。

可選地，在約1000度至約1600度的范圍內的退火溫度下對硅晶片進行退火。