[發(fā)明專(zhuān)利]微發(fā)光二極管裝置及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880001628.X
• 申請(qǐng)日: 2018-10-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109496368A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳右儒
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/00
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/00;H01L33/46;H01L21/78;H01L27/15
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張?zhí)焓?/td>

1.一種制造微發(fā)光二極管裝置的方法，包括：

形成第一基板，所述第一基板包括第一硅層、第二硅層以及夾在所述第一硅層和所述第二硅層之間的氧化硅層；

在所述第二硅層的遠(yuǎn)離所述氧化硅層的一側(cè)形成多個(gè)微發(fā)光二極管；

將具有所述多個(gè)微發(fā)光二極管的所述第一基板與第二基板接合；以及

去除所述氧化硅層和所述第一硅層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成第一基板包括：

提供硅晶片；

將氧離子通過(guò)所述硅晶片的表面注入所述硅晶片中至大于零的深度；以及

在注入氧離子之后對(duì)所述硅晶片進(jìn)行退火以形成所述氧化硅層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，去除所述氧化硅層和所述第一硅層包括通過(guò)使用氟化氫作為干蝕刻劑的干法蝕刻工藝來(lái)蝕刻所述氧化硅層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，在蝕刻所述氧化硅層之后，還包括使用濕蝕刻劑蝕刻所述第二硅層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，去除所述氧化硅層和所述第一硅層包括通過(guò)使用包括氟化氫的酸性溶液的濕法蝕刻工藝來(lái)蝕刻所述氧化硅層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，在將具有所述多個(gè)微發(fā)光二極管的所述第一基板與所述第二基板接合并去除所述氧化硅層和所述第一硅層之后，還包括在所述第二硅層的遠(yuǎn)離所述多個(gè)微發(fā)光二極管的一側(cè)形成分布式布拉格反射器。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，在將具有所述多個(gè)微發(fā)光二極管的所述第一基板與所述第二基板接合并去除所述氧化硅層和所述第一硅層之前，還包括蝕刻具有所述多個(gè)微發(fā)光二極管的所述第一基板，以形成多個(gè)發(fā)光島；

其中，在蝕刻具有所述多個(gè)微發(fā)光二極管的所述第一基板以形成所述多個(gè)發(fā)光島之后，將具有所述多個(gè)微發(fā)光二極管的所述第一基板與所述第二基板接合；并且

在將具有所述多個(gè)微發(fā)光二極管的所述第一基板與所述第二基板接合之后，去除所述氧化硅層和所述第一硅層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，使用電感耦合等離子體蝕刻工藝來(lái)蝕刻具有所述多個(gè)微發(fā)光二極管的所述第一基板以形成所述多個(gè)發(fā)光島；并且

去除所述氧化硅層和所述第一硅層包括通過(guò)使用包括氟化氫的酸性溶液的濕法蝕刻工藝來(lái)蝕刻所述氧化硅層。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，在將具有所述多個(gè)微發(fā)光二極管的所述第一基板與所述第二基板接合，并去除所述氧化硅層和所述第一硅層之后，還包括蝕刻具有所述多個(gè)微發(fā)光二極管的所述第一基板，以形成多個(gè)發(fā)光島；

其中，在將具有所述多個(gè)微發(fā)光二極管的所述第一基板與所述第二基板接合之后，去除所述氧化硅層和所述第一硅層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，在所述第二硅層的遠(yuǎn)離所述多個(gè)微發(fā)光二極管的一側(cè)形成所述分布式布拉格反射器之后，蝕刻具有所述多個(gè)微發(fā)光二極管的所述第一基板，以形成所述多個(gè)發(fā)光島。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，使用電感耦合等離子體蝕刻工藝來(lái)蝕刻具有所述多個(gè)微發(fā)光二極管的所述第一基板以形成所述多個(gè)發(fā)光島；并且

去除所述氧化硅層和所述第一硅層包括通過(guò)使用包括氟化氫的酸性溶液的濕法蝕刻工藝來(lái)蝕刻所述氧化硅層。

12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，在所述第二硅層的遠(yuǎn)離所述多個(gè)微發(fā)光二極管的一側(cè)形成的所述分布式布拉格反射器被配置為反射來(lái)自紅色發(fā)光微發(fā)光二極管的紅光和來(lái)自綠色發(fā)光微發(fā)光二極管的綠光。

13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，在所述第二硅層的遠(yuǎn)離所述多個(gè)微發(fā)光二極管的一側(cè)形成的所述分布式布拉格反射器被配置為反射來(lái)自藍(lán)色發(fā)光微發(fā)光二極管的藍(lán)光。