[實用新型]GaN HEMT保護電路及設備

有效

• 申請號: 201822246945.8
• 申請日: 2018-12-28
• 公開（公告）號: CN209330080U
• 公開（公告）日: 2019-08-30
• 發明（設計）人: 謝路平;樊奇彥;劉江濤;李合理
• 申請（專利權）人: 京信通信系統（中國）有限公司;京信通信系統（廣州）有限公司;京信通信技術（廣州）有限公司;天津京信通信系統有限公司
• 主分類號: H03K17/082
• 分類號: H03K17/082;H03K17/687
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 關志琨

1.一種GaN HEMT保護電路，其特征在于，包括：漏壓開關驅動電路、漏壓開關電路以及電流檢測電路；

所述漏壓開關驅動電路的第一輸入端用于連接外部電源，所述漏壓開關驅動電路的第二輸入端用于接入漏壓控制信號；所述漏壓開關驅動電路的第一輸出端連接所述漏壓開關電路的控制端，所述漏壓開關驅動電路的第二輸出端通過所述電流檢測電路連接所述漏壓開關電路的輸入端；所述漏壓開關驅動電路的采樣端連接所述漏壓開關電路的輸入端；

所述漏壓開關電路的輸出端用于連接所述GaN HEMT的漏極。

2.根據權利要求1所述的GaN HEMT保護電路，其特征在于，所述電流檢測電路包括采樣電阻；

所述采樣電阻的第一端連接所述漏壓開關驅動電路的第二輸出端，所述采樣電阻的第二端連接所述漏壓開關電路的輸入端。

3.根據權利要求2所述的GaN HEMT保護電路，其特征在于，所述電流檢測電路還包括電容；

所述電容的第一端連接所述采樣電阻的第一端，所述電容的第二端連接所述漏壓開關驅動電路的采樣端。

4.根據權利要求1所述的GaN HEMT保護電路，其特征在于，所述漏壓開關電路為MOS管開關電路；所述漏壓開關驅動電路為MOS管驅動電路。

5.根據權利要求1所述的GaN HEMT保護電路，其特征在于，還包括接地開關電路；

所述接地開關電路的輸入端連接所述漏壓開關電路的輸出端，所述接地開關電路的輸出端接地，所述接地開關電路的控制端用于接入所述漏壓控制信號。

6.根據權利要求5所述的GaN HEMT保護電路，其特征在于，所述接地開關電路包括第一N型MOS管；

所述第一N型MOS管的漏極連接所述漏壓開關電路的輸出端，所述第一N型MOS管的源極接地，所述第一N型MOS管的柵極用于接入所述漏壓控制信號。

7.根據權利要求1至6任意一項所述的GaN HEMT保護電路，其特征在于，還包括漏壓控制電路；

所述漏壓控制電路的輸入端用于分別連接柵極電壓源和所述GaN HEMT的柵極，所述漏壓控制電路的輸出端連接所述漏壓開關驅動電路的第二輸入端。

8.根據權利要求7所述的GaN HEMT保護電路，其特征在于，所述漏壓控制電路包括比較器、第二電阻、第三電阻和NPN型三極管；所述比較器的正相輸入端用于分別連接所述柵極電壓源和所述GaN HEMT的柵極；所述比較器的反相輸入端用于通過所述第二電阻連接負電壓電源端，且通過所述第三電阻接地；所述比較器的正電源端用于連接正電壓電源端，所述比較器的負電源端用于連接所述負電壓電源端；所述比較器的輸出端連接所述NPN型三極管的基極；所述NPN型三極管的集電極連接所述漏壓控制電路的輸出端，所述NPN型三極管的發射極接地；所述漏壓開關驅動電路的第二輸入端還用于連接所述正電壓電源端；

或，所述漏壓控制電路包括比較器、第二電阻、第三電阻和第二N型MOS管；所述比較器的正相輸入端用于連接所述柵極電壓源；所述比較器的反相輸入端用于通過所述第二電阻連接負電壓電源端，且通過所述第三電阻接地；所述比較器的正電源端用于連接正電壓電源端，所述比較器的負電源端用于連接所述負電壓電源端；所述比較器的輸出端連接所述第二N型MOS管的柵極；所述第二N型MOS管的漏極連接所述漏壓控制電路的輸出端，所述第二N型MOS 管的源極接地；所述漏壓開關驅動電路的第二輸入端還用于連接所述正電壓電源端；

或，漏壓控制電路包括比較器、第二電阻和第三電阻；所述比較器的反相輸入端用于連接所述柵極電壓源；所述比較器的正相輸入端用于通過所述第二電阻連接負電壓電源端，且通過所述第三電阻接地；所述比較器的正電源端用于連接正電壓電源端，所述比較器的負電源端用于連接所述負電壓電源端；所述比較器的輸出端連接所述漏壓控制電路的輸出端。