[實用新型]GaN HEMT保護電路及設備

有效

• 申請號: 201822246945.8
• 申請日: 2018-12-28
• 公開（公告）號: CN209330080U
• 公開（公告）日: 2019-08-30
• 發明（設計）人: 謝路平;樊奇彥;劉江濤;李合理
• 申請（專利權）人: 京信通信系統（中國）有限公司;京信通信系統（廣州）有限公司;京信通信技術（廣州）有限公司;天津京信通信系統有限公司
• 主分類號: H03K17/082
• 分類號: H03K17/082;H03K17/687
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 關志琨

本申請涉及一種GaN HEMT保護電路及設備，其中，GaN HEMT保護電路包括：漏壓開關驅動電路、漏壓開關電路以及電流檢測電路。漏壓開關驅動電路的的第一輸入端連接外部電源，第二輸入端接入漏壓控制信號，第一輸出端連接漏壓開關電路的控制端，第二輸出端通過電流檢測電路連接漏壓開關電路的輸入端，采樣端連接漏壓開關電路的輸入端；漏壓開關電路的輸出端連接GaN HEMT的漏極。漏壓開關驅動電路基于漏壓控制信號，控制GaN HEMT漏壓的開與關；電流檢測電路檢測流入漏壓開關電路的電流的大小；在電流過大，對GaN HEMT器件存在傷害時，漏壓開關驅動電路驅動漏壓開關電路截斷，自動切斷漏極供電，保護GaN HEMT器件。

技術領域

本申請涉及半導體保護電路技術領域，特別是涉及一種GaN HEMT保護電路及設備。

背景技術

氮化鎵(GaN)半導體材料具有禁帶寬度寬、電子漂移速度高、擊穿場強高、化學性質穩定等優點，是制備高頻、大功率器件的理想材料。以GaN為襯底的高電子遷移率晶體管(HEMT，High Electron Mobility Transistor)具有輸出功率密度大、工作電壓高和輸出阻抗高的優點，在無線通信中發揮著越來越重要的作用，是無線通信放大器的核心器件。

在實現過程中，發明人發現傳統技術中至少存在如下問題：GaN HEMT的漏極電流大，易對GaN HEMT器件造成傷害。

實用新型內容

基于此，有必要針對GaN HEMT的漏極電流大，易對GaN HEMT器件造成傷害的問題，提供一種GaN HEMT保護電路及設備。

為了實現上述目的，一方面，本申請實施例提供了一種GaN HEMT保護電路，包括：漏壓開關驅動電路、漏壓開關電路以及電流檢測電路。

漏壓開關驅動電路的的第一輸入端用于連接外部電源，漏壓開關驅動電路的第二輸入端用于接入漏壓控制信號；漏壓開關驅動電路的第一輸出端連接漏壓開關電路的控制端，漏壓開關驅動電路的第二輸出端通過電流檢測電路連接漏壓開關電路的輸入端；漏壓開關驅動電路的采樣端連接漏壓開關電路的輸入端；漏壓開關電路的輸出端用于連接GaNHEMT的漏極。

在其中一個實施例中，電流檢測電路包括采樣電阻；采樣電阻的第一端連接漏壓開關驅動電路的第二輸出端，采樣電阻的第二端連接漏壓開關電路的輸入端。

在其中一個實施例中，電流檢測電路還包括電容；電容的第一端連接采樣電阻的第一端，電容的第二端連接漏壓開關驅動電路的采樣端。

在其中一個實施例中，漏壓開關電路為MOS管(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor，金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)開關電路；漏壓開關驅動電路為MOS管驅動電路。

在其中一個實施例中，還包括接地開關電路；接地開關電路的輸入端連接漏壓開關電路的輸出端，接地開關電路的輸出端接地，接地開關電路的控制端用于接入漏壓控制信號。

在其中一個實施例中，接地開關電路包括第一N型MOS管；第一N型MOS管的漏極連接漏壓開關電路的輸出端，第一N型MOS管的源極接地，第一N型MOS管的柵極用于接入漏壓控制信號。

在其中一個實施例中，還包括漏壓控制電路；漏壓控制電路的輸入端用于分別連接柵極電壓源和GaN HEMT的柵極，漏壓控制電路的輸出端連接漏壓開關驅動電路的第二輸入端。