[實用新型]一種壓應變PMOS器件

有效

• 申請號: 201822242840.5
• 申請日: 2018-12-28
• 公開（公告）號: CN209374453U
• 公開（公告）日: 2019-09-10
• 發明（設計）人: 劉奕晨
• 申請（專利權）人: 西安科銳盛創新科技有限公司
• 主分類號: H01L29/16
• 分類號: H01L29/16;H01L29/423;H01L29/78
• 代理公司: 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230
• 代理人: 孫濤濤

1.一種壓應變PMOS器件，其特征在于，包括：Si襯底(101)、Ge外延層(102)、Ge溝道層(103)、柵極(104)、SiGe層(105)、源區(106)、漏區(107)、源極(108)、漏極(109)和介質層(110)；其中，

所述Ge外延層(102)和所述Ge溝道層(103)依次設置于所述Si襯底(101)上；所述柵極(104)設置于所述Ge溝道層(103)表面中間位置處；所述SiGe層(105)設置于所述Ge溝道層(103)表面且位于所述柵極(104)外側；所述源區(106)和所述漏區(107)分別設置于所述SiGe層(105)外側的所述Ge溝道層(103)內；所述源極(108)設置于所述源區(106)上；所述漏極(109)設置于和所述漏區(107)上；所述介質層(110)設置于所述Ge溝道層(103)、所述SiGe層(105)、所述源區(106)、所述漏區(107)和所述柵極(104)上。

2.根據權利要求1所述的PMOS器件，其特征在于，所述Si襯底(101)為N型Si襯底，厚度為2μm。

3.根據權利要求1所述的PMOS器件，其特征在于，所述Ge外延層(102)的厚度為460nm。

4.根據權利要求1所述的PMOS器件，其特征在于，所述Ge溝道層(103)為N型Ge溝道層，摻雜濃度為3×10¹⁶cm^-3，厚度為910nm。

5.根據權利要求1所述的PMOS器件，其特征在于，所述柵極(104)包括柵介質層和柵接觸層；其中，所述柵介質層的材料為HfO₂，厚度為10nm；所述柵接觸層的材料為Al-Cu，厚度為20nm。

6.根據權利要求1所述的PMOS器件，其特征在于，所述SiGe層(105)的厚度為10nm。

7.根據權利要求1所述的PMOS器件，其特征在于，所述源極(108)和漏極(109)的厚度為45nm。