[實(shí)用新型]半導(dǎo)體組件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201822238845.0
• 申請日: 2018-12-28
• 公開（公告）號: CN209249463U
• 公開（公告）日: 2019-08-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李立民;徐獻(xiàn)松
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫旭康微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L27/02;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京律和信知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11446
• 代理人: 武玉琴;冷文燕

本實(shí)用新型公開一種半導(dǎo)體組件。半導(dǎo)體組件被區(qū)分為一組件區(qū)以及一靜電防護(hù)區(qū)。半導(dǎo)體組件包括磊晶層、柵極結(jié)構(gòu)以及靜電防護(hù)層。磊晶層包括位于組件區(qū)的一第一基體區(qū)以及位于靜電防護(hù)區(qū)的一第二基體區(qū)。柵極結(jié)構(gòu)設(shè)置于組件區(qū)內(nèi)，并至少連接于所述第一基體區(qū)。靜電防護(hù)層設(shè)置于磊晶層的一表面上并與磊晶層隔離。靜電防護(hù)層位于第二基體區(qū)上方，且靜電防護(hù)層完全重疊于第二基體區(qū)范圍內(nèi)。本實(shí)用新型具有靜電防護(hù)層的半導(dǎo)體組件符合靜電放電防護(hù)標(biāo)準(zhǔn)，又可具有較高的耐壓。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體組件，特別是涉及一種具有靜電防護(hù)層的半導(dǎo)體組件。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體功率組件的應(yīng)用領(lǐng)域中，半導(dǎo)體功率組件對靜電放電保護(hù)能力已成為重要指標(biāo)。一些小訊號半導(dǎo)體功率組件因具有較小的芯片尺寸，對靜電放電保護(hù)能力較差，甚至無法達(dá)到靜電放電保護(hù)的最低標(biāo)準(zhǔn)。部分半導(dǎo)體功率組件雖然具有較大的芯片尺寸，而可具有較大的靜電放電保護(hù)能力，但可能需要在較苛刻的環(huán)境(如:相對濕度<65％的干燥環(huán)境，或粉塵較多的環(huán)境)下操作，因而對半導(dǎo)體功率組件的靜電放電保護(hù)能力有更高的要求。

因此，在現(xiàn)有的技術(shù)中，將靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)被整合到半導(dǎo)體功率組件中，以增加半導(dǎo)體功率組件對靜電放電的承受能力。然而，在現(xiàn)有制程中，由于制程條件與制程余裕度(process window)的限制，靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的位置容易偏移預(yù)定位置。另外，現(xiàn)有的半導(dǎo)體功率組件中，靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)會直接連接漂移區(qū)與基體區(qū)，且漂移區(qū)與基體區(qū)之間會形成沿著磊晶層的厚度方向延伸的弧形界面。

因此，當(dāng)半導(dǎo)體功率組件操作時(shí)，在漂移區(qū)與基體區(qū)之間的弧形界面的電場強(qiáng)度較強(qiáng)，導(dǎo)致崩潰現(xiàn)象經(jīng)常在弧形界面附近的區(qū)域發(fā)生，并降低半導(dǎo)體功率組件本身的耐壓。

另一方面，對于現(xiàn)有的半導(dǎo)體功率組件而言，擊穿電壓(breakdown voltage)以及導(dǎo)通電阻(on-resistance)是較重要的參數(shù)，其中導(dǎo)通電阻會影響半導(dǎo)體功率組件的導(dǎo)通損耗(conducting loss)。目前業(yè)界傾向于通過提高漂移區(qū)的摻雜濃度，以進(jìn)一步降低半導(dǎo)體功率組件的導(dǎo)通電阻。然而，現(xiàn)有的半導(dǎo)體功率組件在整合靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)之后，已具有相對偏低的耐壓，更難以符合目前業(yè)界的趨勢。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型所欲解決的其中一技術(shù)問題在于，克服具有靜電放電防護(hù)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體組件的耐壓偏低的問題。

為了解決上述的技術(shù)問題，本實(shí)用新型所采用的其中一技術(shù)方案是，提供一種半導(dǎo)體組件，其被區(qū)分為一組件區(qū)以及一靜電防護(hù)區(qū)，且所述半導(dǎo)體組件包括一磊晶層、一柵極結(jié)構(gòu)以及一靜電防護(hù)層。磊晶層包括位于組件區(qū)的一第一基體區(qū)以及位于靜電防護(hù)區(qū)的一第二基體區(qū)。柵極結(jié)構(gòu)設(shè)置于組件區(qū)內(nèi)，并至少連接于第一基體區(qū)。靜電防護(hù)層設(shè)置于磊晶層的一表面上并與磊晶層隔離。靜電防護(hù)層位于所述第二基體區(qū)上方，且靜電防護(hù)層完全重疊于所述第二基體區(qū)范圍內(nèi)。

本實(shí)用新型的有益效果在于，本實(shí)用新型所提供的半導(dǎo)體組件，其通過“靜電防護(hù)層完全重疊于所述第二基體區(qū)范圍內(nèi)”的技術(shù)手段，可以使具有靜電防護(hù)層的半導(dǎo)體組件符合靜電放電防護(hù)標(biāo)準(zhǔn)，又可具有較高的耐壓。

為使能更進(jìn)一步了解本實(shí)用新型的特征及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本實(shí)用新型的詳細(xì)說明與附圖，然而所提供的附圖僅用于提供參考與說明，并非用來對本實(shí)用新型加以限制。

附圖說明

圖1繪示本實(shí)用新型其中一實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的流程圖。

圖2A為本實(shí)用新型實(shí)施例的半導(dǎo)體組件在制造流程中的局部剖面示意圖。

圖2B為本實(shí)用新型實(shí)施例的半導(dǎo)體組件在制造流程中的局部剖面示意圖。

圖2C為本實(shí)用新型實(shí)施例的半導(dǎo)體組件在制造流程中的局部剖面示意圖。

圖2D為本實(shí)用新型實(shí)施例的半導(dǎo)體組件在制造流程中的局部剖面示意圖。