[實用新型]半導體組件有效
| 申請號： | 201822238845.0 | 申請日： | 2018-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN209249463U | 公開（公告）日： | 2019-08-13 |
| 發明（設計）人： | 李立民;徐獻松 | 申請（專利權）人： | 無錫旭康微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L27/02;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律和信知識產權代理事務所(普通合伙) 11446 | 代理人： | 武玉琴;冷文燕 |
| 地址： | 214000 江蘇省無錫市蠡園開*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體組件 靜電防護層 基體區 磊晶層 本實用新型 靜電防護區 柵極結構 組件區 靜電放電防護 耐壓 隔離 | ||
1.一種半導體組件，其被區分為一組件區以及一靜電防護區，其特征在于，所述半導體組件包括：
一磊晶層，其包括位于所述組件區的一第一基體區以及位于所述靜電防護區的一第二基體區；
一柵極結構，其設置于所述組件區內，并至少連接于所述第一基體區；以及
一靜電防護層，其設置于所述磊晶層的一表面上并與所述磊晶層隔離，其中，所述靜電防護層位于所述第二基體區上方，且所述靜電防護層完全重疊于所述第二基體區范圍內。
2.如請求項1所述的半導體組件，其特征在于，所述靜電防護層包括一第一重摻雜區與一第二重摻雜區，且所述第一重摻雜區與所述第二重摻雜區的交界面為一PN接面。
3.如請求項1所述的半導體組件，其特征在于，所述的半導體組件還包括一絕緣層，所述絕緣層位于所述靜電防護層與所述磊晶層之間，所述絕緣層連接于所述第二基體區，且所述靜電防護層的寬度與所述絕緣層的寬度之間的差值小于0.5um。
4.如請求項1所述的半導體組件，其特征在于，所述柵極結構為溝道式柵極結構或是平面式柵極結構。
5.如請求項1所述的半導體組件，其特征在于，所述磊晶層還包括位于所述組件區內的一第一源極區，所述第一源極區連接于所述柵極結構的其中一側，且所述第一基體區圍繞所述第一源極區。
6.如請求項5所述的半導體組件，其特征在于，所述第二基體區具有一延伸部分，并連接所述柵極結構的另一側，且一第二源極區位于所述延伸部分上面。
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