[實用新型]用于下降法晶體生長的承托機構有效
| 申請號: | 201822237525.3 | 申請日: | 2018-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN209276670U | 公開(公告)日: | 2019-08-20 |
| 發明(設計)人: | 魏建德;方聲浩;佘建軍;葉寧;張志誠 | 申請(專利權)人: | 廈門中爍光電科技有限公司;中國電子科技集團公司第二十六研究所 |
| 主分類號: | C30B11/00 | 分類號: | C30B11/00 |
| 代理公司: | 北京慧智興達知識產權代理有限公司 11615 | 代理人: | 韓龍;劉寶山 |
| 地址: | 361000 福建省廈門市集美區*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 坩堝 承托 承托機構 晶體生長 下降法 下降爐 托桿 本實用新型 下降裝置 低導熱材料 空心圓柱形 承托裝置 固定相連 間隙填充 上下移動 氧化鋯球 晶體的 容置 溫場 填充 生長 加工 | ||
本實用新型公開了一種用于下降法晶體生長的承托機構,包括下降爐,下降爐內設置有承托碗,承托碗為空心圓柱形,承托碗的一端與托桿固定相連,托桿與下降裝置相連;承托碗的另一端容置有坩堝,坩堝與承托碗的間隙填充有低導熱材料,下降裝置可通過托桿帶動坩堝在下降爐內上下移動。本實用新型的用于下降法晶體生長的承托機構結構簡單,設計巧妙,可以適應不同尺寸的坩堝,克服了以往需要根據不同坩堝尺寸加工不同承托裝置的缺點,同時采用采用氧化鋯球填充,使坩堝內溫場穩定,生長的晶體內應力小,有利于提高晶體的質量。
技術領域
本實用新型涉及一種承托機構,尤其涉及一種用于下降法晶體生長的承托機構。
背景技術
Bridgman Method(坩堝下降法)生長其基本原理是通過坩堝和熔體之間的相對移動,形成一定的溫度場,為晶體提供生長驅動力,使晶體生長。采用坩堝下降式的生長方法中,坩堝的承托方式,通常采用兩種方法:一種是加工一個石英托碗或不銹鋼碗與坩堝相貼合,再將托碗與下降機構連接;另一種是采用將坩堝完全埋于石英下降管中,間隙用保溫填料填充。
這兩種方法都有其缺陷:首先,石英托碗采用石英材質,加工難度大,成本高,且石英經過高溫后易晶化破碎,不能長期使用;其次,石英托碗或不銹鋼碗必須根據不同的坩堝形狀加工不同的尺寸,且存在較大的公差,坩堝固定不夠牢;還有采用保溫填料的方式生長晶體,晶體在降溫過程中,內部應力得不到快速釋放,尤其在等徑部分會導致晶體開裂。
實用新型內容
本實用新型提供了一種用于下降法晶體生長的承托機構,具有適用于各種坩堝尺寸的晶體生長的功能。具體技術方案如下:
一種用于下降法晶體生長的承托機構,包括下降爐,下降爐內設置有承托碗,承托碗為空心圓柱形,承托碗的一端與托桿固定相連,托桿與下降裝置相連;承托碗的另一端容置有坩堝,坩堝與承托碗的間隙填充有低導熱材料,下降裝置可通過托桿帶動坩堝在下降爐內上下移動。
進一步,承托碗包括第一空心圓柱體和第二空心圓柱體,第一空心圓柱體與第二空心圓柱體固定相連。
進一步,第二空心圓柱體與托桿固定相連,托桿與下降裝置相連,第一空心圓柱體容置有坩堝,坩堝與承托碗的間隙填充有低導熱材料。
進一步,坩堝包括豎直部與錐型部,豎直部與錐型部固定相連,錐型部容置在第一空心圓柱體內,第一空心圓柱體與錐型部之間的間隙填充低導熱材料。
進一步,低導熱材料選用氧化鋯球。
進一步,坩堝與氧化鋯球相連,坩堝與承托碗有間隙。
進一步,下降爐為圓桶狀,下降爐中間設置有空腔,承托碗設置在空腔中。
進一步,下降爐包括高溫區與低溫區,高溫區與低溫區之間設置有隔熱區,高溫區設置在低溫區上方。
進一步,承托碗采用310S不銹鋼制成。
進一步,托桿的材料選用剛玉。
本實用新型的用于下降法晶體生長的承托機構結構簡單,設計巧妙,可以適應不同尺寸的坩堝,克服了以往需要根據不同坩堝尺寸加工不同承托裝置的缺點,同時采用采用氧化鋯球填充,使坩堝內溫場穩定,生長的晶體內應力小,有利于提高晶體的質量。
附圖說明
圖1為本實用新型在下降爐內的示意圖。
具體實施方式
為了更好地了解本實用新型的目的、功能以及具體設計方案,下面結合附圖,對本實用新型的用于下降法晶體生長的承托機構作進一步詳細的描述。
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