[實用新型]用于下降法晶體生長的承托機構有效
| 申請號： | 201822237525.3 | 申請日： | 2018-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN209276670U | 公開（公告）日： | 2019-08-20 |
| 發明（設計）人： | 魏建德;方聲浩;佘建軍;葉寧;張志誠 | 申請（專利權）人： | 廈門中爍光電科技有限公司;中國電子科技集團公司第二十六研究所 |
| 主分類號： | C30B11/00 | 分類號： | C30B11/00 |
| 代理公司： | 北京慧智興達知識產權代理有限公司 11615 | 代理人： | 韓龍;劉寶山 |
| 地址： | 361000 福建省廈門市集美區*** | 國省代碼： | 福建;35 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 坩堝 承托 承托機構 晶體生長 下降法 下降爐 托桿 本實用新型 下降裝置 低導熱材料 空心圓柱形 承托裝置 固定相連 間隙填充 上下移動 氧化鋯球 晶體的 容置 溫場 填充 生長 加工 | ||
1.一種用于下降法晶體生長的承托機構，其特征在于，包括下降爐，下降爐內設置有承托碗，承托碗為空心圓柱形，承托碗的一端與托桿固定相連，托桿與下降裝置相連；承托碗的另一端容置有坩堝，坩堝與承托碗的間隙填充有低導熱材料，下降裝置可通過托桿帶動坩堝在下降爐內上下移動。
2.如權利要求1所述的用于下降法晶體生長的承托機構，其特征在于，承托碗包括第一空心圓柱體和第二空心圓柱體，第一空心圓柱體與第二空心圓柱體固定相連。
3.如權利要求2所述的用于下降法晶體生長的承托機構，其特征在于，第二空心圓柱體與托桿固定相連，托桿與下降裝置相連，第一空心圓柱體容置有坩堝，坩堝與承托碗的間隙填充有低導熱材料。
4.如權利要求2所述的用于下降法晶體生長的承托機構，其特征在于，坩堝包括豎直部與錐型部，豎直部與錐型部固定相連，錐型部容置在第一空心圓柱體內，第一空心圓柱體與錐型部之間的間隙填充低導熱材料。
5.如權利要求1所述的用于下降法晶體生長的承托機構，其特征在于，低導熱材料選用氧化鋯球。
6.如權利要求5所述的用于下降法晶體生長的承托機構，其特征在于，坩堝與氧化鋯球相連，坩堝與承托碗有間隙。
7.如權利要求1所述的用于下降法晶體生長的承托機構，其特征在于，下降爐為圓桶狀，下降爐中間設置有空腔，承托碗設置在空腔中。
8.如權利要求7所述的用于下降法晶體生長的承托機構，其特征在于，下降爐包括高溫區與低溫區，高溫區與低溫區之間設置有隔熱區，高溫區設置在低溫區上方。
9.如權利要求1所述的用于下降法晶體生長的承托機構，其特征在于，承托碗采用310S不銹鋼制成。
10.如權利要求1所述的用于下降法晶體生長的承托機構，其特征在于，托桿的材料選用剛玉。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于廈門中爍光電科技有限公司;中國電子科技集團公司第二十六研究所，未經廈門中爍光電科技有限公司;中國電子科技集團公司第二十六研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201822237525.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種用于電鍍的防腐蝕的儲熱水箱
- 下一篇：單晶爐及其連續加料裝置
