[實用新型]一種三相全橋拓撲電路

有效

• 申請號: 201822235223.2
• 申請日: 2018-12-28
• 公開（公告）號: CN209435129U
• 公開（公告）日: 2019-09-24
• 發明（設計）人: 王巧建;徐俊龍;劉佰瑩
• 申請（專利權）人: 思源清能電氣電子有限公司
• 主分類號: H02M7/219
• 分類號: H02M7/219;H02M7/23
• 代理公司: 上海唯智贏專利代理事務所(普通合伙) 31293
• 代理人: 王圣;劉朵朵

本實用新型涉及一種三相全橋拓撲電路，屬電力設備技術領域。其特征在于：每一相與零線之間都并聯有一對電容和電阻，每一相的交流出線經過第一電感、繼電器和第二電感后均連接該相上橋臂電路中的MOSFET的漏極，該相上橋臂電路中的MOSFET的源極連接下橋臂電路中的MOSFET的漏極，下橋臂電路中的MOSFET的源極與直流出線相連；上橋臂電路和下橋臂電路上的MOSFET均采用碳化硅，每一個碳化硅由一路獨立的驅動電路控制開通、關斷信號，驅動電路的電流大小和功率根據碳化硅MOSFET的參數進行調整。本實用新型通過在三相全橋拓撲電路使用帶驅動電路的碳化硅，具有高效率、高開關頻率、高功率密度、低損耗的優點。

技術領域

本實用新型涉及一種三相全橋拓撲電路，屬電力設備技術領域。

背景技術

由于現代化建設中大量的電力電子設備的應用，使得這些電力電子器件發展比較迅猛，傳統硅材料器件有其制約的條件，如耐壓不高，功率密度低，損耗高等缺點，現有的逆變器采用采用傳統IGBT三相全橋拓撲電路，開關頻率為有限的10-20KHz。碳化硅MOSFET具有高效率，高開關頻率，高功率密度，低損耗的優點，如將采用碳化硅MOSFET應用于三相全橋拓撲電路逆變器，開關頻率可以做到100KHz。

實用新型內容

本實用新型的目的是克服現有技術的缺陷，提供一種使用碳化硅MOSFET的三相全橋拓撲電路。

技術方案如下：

一種三相全橋拓撲電路，每一相與零線之間都并聯有一對電容和電阻，每一相的交流出線經過第一電感、繼電器和第二電感后均連接該相上橋臂電路中的MOSFET的漏極，該相上橋臂電路中的MOSFET的源極連接下橋臂電路中的MOSFET的漏極，下橋臂電路中的MOSFET的源極與直流出線相連；上橋臂電路和下橋臂電路上的MOSFET均采用碳化硅，每一個碳化硅由一路獨立的驅動電路控制開通、關斷信號，驅動電路的電流大小和功率根據碳化硅MOSFET的參數進行調整。

進一步地，驅動電路通過門極電阻與碳化硅MOSFET的柵極連接，并通過碳化硅MOSFET內部的NTC電阻對碳化硅MOSFET內部溫度進行檢測。

進一步地，每一相的上橋臂電路的驅動電路和下橋臂電路的驅動電路集成在同一塊PCB板上，驅動電路具有有源鉗位、短路保護、米勒鉗位、軟關斷、欠壓保護、門極狀態反饋功能。

更進一步地，碳化硅MOSFET的額定電壓為1200V，驅動電路的開關頻率為100KHz，驅動電壓的正電壓為16V，負電壓為-5V。

有益效果：

1)本實用新型通過使用帶驅動電路的碳化硅MOSFET，具有高效率、高開關頻率、高功率密度、低損耗的優點。

2)為每一相碳化硅MOSFET配備單獨的驅動電路，便于更換。

附圖說明

圖1為本實用新型主電路拓撲圖；

圖2為碳化硅MOSFET三相全橋拓撲圖；

其中：KMA/KMB/KMC為繼電器，L1A/L1B/L1C為A/B/C相上的第一電感，L2A/L2B/L2C為A/B/C相上的第二電感，SA1/SB1/SC1和SA2/SB2/SC2為A/B/C相上上橋臂電路中的MOSFET，SA3/SB3/SC3和SA4/SB4/SC4為A/B/C相上下橋臂電路中的MOSFET。

具體實施方式

下面結合附圖和具體實施例對本實用新型進行詳細說明：