[實用新型]一種三相全橋拓撲電路有效

申請號：	201822235223.2	申請日：	2018-12-28
公開（公告）號：	CN209435129U	公開（公告）日：	2019-09-24
發明（設計）人：	王巧建;徐俊龍;劉佰瑩	申請（專利權）人：	思源清能電氣電子有限公司
主分類號：	H02M7/219	分類號：	H02M7/219;H02M7/23
代理公司：	上海唯智贏專利代理事務所(普通合伙) 31293	代理人：	王圣;劉朵朵
地址：	201108 ***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	電路驅動電路三相全橋拓撲電路上橋臂碳化硅下橋臂電感本實用新型漏極繼電器出線碳化硅MOSFET 高開關頻率電力設備關斷信號源極連接低損耗高功率高效率電容并聯電阻零線源極開通交流
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【權利要求書】：

1.一種三相全橋拓撲電路，其特征在于：每一相與零線之間都并聯有一對電容和電阻，每一相的交流出線經過第一電感、繼電器和第二電感后均連接該相上橋臂電路中的MOSFET的漏極，該相上橋臂電路中的MOSFET的源極連接下橋臂電路中的MOSFET的漏極，下橋臂電路中的MOSFET的源極與直流出線相連；上橋臂電路和下橋臂電路上的MOSFET均采用碳化硅，每一個碳化硅由一路獨立的驅動電路控制開通、關斷信號，驅動電路的電流大小和功率根據碳化硅MOSFET的參數進行調整。

2.如權利要求1所述的三相全橋拓撲電路，其特征在于：所述的驅動電路通過門極電阻與碳化硅MOSFET的柵極連接，并通過碳化硅MOSFET內部的NTC電阻對碳化硅MOSFET內部溫度進行檢測。

3.如權利要求1所述的三相全橋拓撲電路，其特征在于：所述的每一相的上橋臂電路的驅動電路和下橋臂電路的驅動電路集成在同一塊PCB板上。

4.如權利要求1至3之一所述的三相全橋拓撲電路，其特征在于：所述的碳化硅MOSFET的額定電壓為1200V，驅動電路的開關頻率為100KHz，驅動電壓的正電壓為16V，負電壓為-5V。

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