[實用新型]一種薄膜晶片分離裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201822235096.6 | 申請日: | 2018-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN209571389U | 公開(公告)日: | 2019-11-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 申兵兵;鄒金成 | 申請(專利權(quán))人: | 東泰高科裝備科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002 | 代理人: | 王瑩;吳歡燕 |
| 地址: | 102200 北京市昌平*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 吸板 固定座 頂升組件 薄膜 本實用新型 旋轉(zhuǎn)驅(qū)動件 薄膜晶片 分離裝置 鎖緊組件 旋轉(zhuǎn)組件 連接端 晶片 吸附 太陽能電池技術(shù) 鎖緊固定 吸附晶片 向上運動 轉(zhuǎn)動連接 下表面 自由端 產(chǎn)能 破解 成功率 轉(zhuǎn)動 驅(qū)動 失敗 自由 | ||
1.一種薄膜晶片分離裝置,其特征在于:包括吸附旋轉(zhuǎn)組件、頂升組件和鎖緊組件,所述吸附旋轉(zhuǎn)組件包括吸板、固定座和旋轉(zhuǎn)驅(qū)動件,所述吸板的一端為連接端,一端為自由端,所述連接端與所述固定座轉(zhuǎn)動連接,所述吸板的下表面用于吸附晶片上的薄膜;所述頂升組件位于所述自由端的下方,所述頂升組件帶動所述吸板向上運動,使得所述薄膜與所述晶片部分分離;所述鎖緊組件設(shè)置于所述固定座上,用于將所述吸板鎖緊固定,所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動件與所述固定座連接,以驅(qū)動所述固定座帶動所述吸板轉(zhuǎn)動。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶片分離裝置,其特征在于:所述鎖緊組件包括鎖緊板和第一驅(qū)動件,所述鎖緊板設(shè)置于所述吸板的外側(cè),平行于所述吸板的所述自由端至所述連接端連線方向,所述鎖緊板具有鎖緊所述吸板的鎖緊狀態(tài)和解鎖所述吸板的解鎖狀態(tài),所述第一驅(qū)動件固定在所述固定座上,且與所述鎖緊板連接,以驅(qū)動所述鎖緊板鎖緊所述吸板或解鎖所述吸板。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶片分離裝置,其特征在于:所述鎖緊板上設(shè)有鎖緊槽,所述吸板上設(shè)有與所述鎖緊槽相配合的凸起,所述第一驅(qū)動件驅(qū)動所述鎖緊板前進或后退,使所述凸起嵌入或退出所述鎖緊槽。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶片分離裝置,其特征在于:所述鎖緊槽為L型槽,包括橫段槽與豎段槽,所述第一驅(qū)動件驅(qū)動所述鎖緊板前進時,所述凸起進入所述橫段槽中使所述鎖緊板鎖緊所述吸板,所述第一驅(qū)動件驅(qū)動所述鎖緊板后退時,所述凸起退出所述橫段槽進入所述豎段槽使所述吸板解鎖,所述頂升組件頂起所述吸板時,所述凸起可沿所述豎段槽移動。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶片分離裝置,其特征在于:所述固定座上設(shè)有翻轉(zhuǎn)座和/或第一驅(qū)動件安裝板,所述第一驅(qū)動件固定于所述翻轉(zhuǎn)座和/或所述第一驅(qū)動件安裝板上。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶片分離裝置,其特征在于:所述鎖緊組件還包括安裝板,所述第一驅(qū)動件通過所述安裝板與所述鎖緊板連接,所述安裝板上設(shè)有導向桿,所述固定座上設(shè)有滑套,所述導向桿沿軸向穿過所述滑套,并可沿所述滑套移動。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶片分離裝置,其特征在于:所述鎖緊板與所述吸板之間設(shè)有固定板,所述固定板固定于所述固定座上,所述固定板上設(shè)有與所述凸起位置配合的凹槽,所述凸起可沿所述凹槽中移動。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶片分離裝置,其特征在于:所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動件包括第二驅(qū)動件和轉(zhuǎn)軸,所述第二驅(qū)動件與所述轉(zhuǎn)軸連接并驅(qū)動所述轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動,所述固定座與所述轉(zhuǎn)軸通過翻轉(zhuǎn)座連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶片分離裝置,其特征在于:所述轉(zhuǎn)軸的端部設(shè)有檢測所述轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)角度的角度傳感器。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶片分離裝置,其特征在于:還包括晶片叉,所述晶片叉設(shè)置于所述吸板的下方,以承托所述晶片。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





