[實用新型]一種實時監測鈣鈦礦薄膜成膜質量的設備有效
| 申請號: | 201822232726.4 | 申請日: | 2018-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN209344035U | 公開(公告)日: | 2019-09-03 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 杭州纖納光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;G01N23/207 |
| 代理公司: | 浙江一墨律師事務所 33252 | 代理人: | 陳紅珊 |
| 地址: | 311121 浙江省杭州*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 鈣鈦礦薄膜 測量記錄系統 分析統計系統 本實用新型 監測裝置 實時監測 數據傳輸 計步器 成膜 太陽能電池基片 蒸發控制系統 反應進程 分析數據 滑動軌道 生產過程 性能參數 測角儀 鈣鈦礦 衍射線 投射 衍射 圓環 捕捉 反饋 發射 監測 生產 | ||
本實用新型涉及一種實時監測鈣鈦礦薄膜成膜質量的設備,包括X射線衍射監測裝置以及分析統計系統,X射線衍射監測裝置包括滑動軌道、測角儀圓環、X射線發射裝置、X射線接收裝置及計步器、測量記錄系統,X射線發射裝置發射的X射線投射到鈣鈦礦太陽能電池基片表面產生衍射,X射線接收裝置及計步器把捕捉到衍射線的數據傳輸至測量記錄系統,測量記錄系統將該數據傳輸至分析統計系統,分析統計系統的分析數據反饋至蒸發控制系統。本實用新型通過監測鈣鈦礦薄膜的生產過程中的性能參數,控制其反應進程,提高各批次鈣鈦礦薄膜生產的重復性。
技術領域
本實用新型涉及太陽能電池生產設備的技術領域,特別涉及一種實時監測鈣鈦礦薄膜成膜質量的設備。
背景技術
太陽能電池是一種光電轉換器件,利用半導體的光伏效應將太陽能轉化為電能。發展至今,太陽能發電已經成為除水力發電和風力發電之外最重要的可再生能源。現用于商業化的半導體有單晶硅、多晶硅、非晶硅、碲化鎘、銅銦鎵硒等等,但大多能耗大、成本高。
近年來,一種鈣鈦礦太陽能電池受到廣泛關注,這種鈣鈦礦太陽能電池以有機金屬鹵化物為光吸收層。鈣鈦礦為ABX3型的立方八面體結構。此種材料制備的薄膜太陽能電池工藝簡便、生產成本低、穩定且轉化率高。自2009年至今,光電轉換效率從3.8%提升至22%以上,已高于商業化的晶硅太陽能電池且具有較大的成本優勢。
各種鈣鈦礦太陽能電池薄膜成型工藝可分為兩大類:溶液法和氣相法。溶液法操作簡便,但薄膜均一性、重復性差,影響電池的效率。氣相法有雙源共蒸發法、氣相輔助溶液法、化學氣相沉積(CVD)等方法,其中氣相溶液輔助法可制備晶粒均一、大晶粒尺寸、表面粗糙度小的鈣鈦礦薄膜,但各批次的重復性有待提高。
實用新型內容
本實用新型所要解決的技術問題在于,提供一種實時監測鈣鈦礦薄膜成膜質量的設備,通過監測鈣鈦礦薄膜的生產過程中的各類性能參數,控制其反應進程,提高各批次鈣鈦礦薄膜生產的重復性。
本實用新型是這樣實現的,提供一種實時監測鈣鈦礦薄膜成膜質量的設備,包括X射線衍射監測裝置以及分析統計系統,所述X射線衍射監測裝置的X射線監測數據傳輸至分析統計系統,所述X射線衍射監測裝置包括滑動軌道、測角儀圓環、X射線發射裝置、X射線接收裝置及計步器、測量記錄系統,所述滑動軌道、測角儀圓環、X射線發射裝置以及X射線接收裝置及計步器設置在真空密封艙內,在所述真空密封艙內設置有加熱鈣鈦礦太陽能電池基片的加熱裝置,以及被蒸發控制系統控制的蒸發源,所述滑動軌道固定在真空密封艙內,所述測角儀圓環沿滑動軌道滑動,所述X射線發射裝置以及X射線接收裝置及計步器設置在測角儀圓環上,所述X射線接收裝置及計步器繞測角儀圓環旋轉,所述X射線發射裝置不斷改變入射角,發射的X射線投射到鈣鈦礦太陽能電池基片表面產生衍射,所述X射線接收裝置及計步器把捕捉到衍射線的數據傳輸至測量記錄系統,所述測量記錄系統將該數據傳輸至分析統計系統,所述分析統計系統的分析數據反饋至蒸發控制系統。
進一步地,所述X射線衍射監測裝置的測試次數與時間間隔由分析統計系統設置。
與現有技術相比,本實用新型的實時監測鈣鈦礦薄膜成膜質量的設備,對蒸鍍生產過程中鈣鈦礦太陽能電池基片進行階段性或連續性的X射線衍射測試,通過階段性或連續性的X射線衍射測試了解鈣鈦礦太陽能電池基片表面薄膜的成分、晶體結構等信息,通過分析統計系統將分析數據反饋至蒸鍍系統自動調節蒸鍍參數,從而達到控制蒸鍍反應進程,提高各批次鈣鈦礦薄膜生產的重復性目的。本實用新型可與各類氣相蒸發設備結合制備鈣鈦礦太陽能電池薄膜,在不同時刻或階段性監測鈣鈦礦薄膜生產過程的各類性能參數,從而控制薄膜的化學反應進程,使金屬鹵化物與鹵化物蒸汽反應完全。
附圖說明
圖1為本實用新型實時監測鈣鈦礦薄膜成膜質量的設備一較佳實施例的立體示意圖;
圖2為鈣鈦礦太陽能電池基片薄膜在制備的不同反應階段測試得到的X射線衍射圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





