[實用新型]背入射式共面電極多單元芯片有效
| 申請號: | 201822196268.3 | 申請日: | 2018-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN209401639U | 公開(公告)日: | 2019-09-17 |
| 發明(設計)人: | 楊彥偉;劉宏亮;劉格;鄒顏 | 申請(專利權)人: | 深圳市芯思杰智慧傳感技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0232 | 分類號: | H01L31/0232;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司: | 深圳智匯遠見知識產權代理有限公司 44481 | 代理人: | 田俊峰 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市南*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 芯片 入射光 第一電極 分光單元 光敏區 透光孔 吸收層 本實用新型 光電轉換區 背入射式 第二電極 共面電極 多單元 緩沖層 光功率監控 光電轉換 光分路器 光路系統 頂層 透射 襯底 分出 分光 背面 貫穿 | ||
一種背入射式共面電極多單元芯片,包括襯底、緩沖層、吸收層和頂層;芯片上包括多個分光單元,每個分光單元包括透光孔、光敏區和第一電極;透光孔貫穿吸收層;吸收層內對應光敏區的區域為光電轉換區;第一電極設于芯片的正面,第一電極與對應的光敏區的另一端相連接;芯片的正面上還設有至少一個第二電極,第二電極與緩沖層相連接;芯片的背面為入光側,每個分光單元的透光孔使對應的入射光的一部分透射分出,入射光的另一部分在對應的光電轉換區進行光電轉換;故本實用新型提供的芯片能夠對多束入射光的每束入射光進行分光和光功率監控,進而使用本實用新型提供的芯片的光路系統,無需使用光分路器,大大減少了系統體積,也降低了成本。
技術領域
本實用新型涉及光通信傳輸技術領域,具體涉及一種背入射式共面電極多單元芯片。
背景技術
激光器發射的光信號經光纖傳輸進入無源光波導(PLC)之前,通常需要光分路器分出部分(例如5%)光信號到另外的光電芯片上,進行光功率監控。剩余(例如95%)的光信號通過光纖耦合到光波導,進行傳輸。
在實際使用中,通常會有幾十甚至幾百條這樣的光鏈路,相對應的就需要有幾十甚至幾百個光分路器,進而造成系統體積龐大。而且由于器件眾多,成本就高。每個光路均需要進行單的的光路耦合,操作復雜,費時費力。
實用新型內容
為了實現上述技術問題,本實用新型提供了一種背入射式共面電極多單元芯片,所述芯片包括襯底、緩沖層、吸收層和頂層;
所述芯片上包括多個分光單元,每個所述分光單元包括透光孔、光敏區和第一電極;所述透光孔向遠離所述芯片背面的方向開口并貫穿所述吸收層和所述頂層;所述光敏區設于所述頂層并一端與所述吸收層相連接;所述吸收層內對應所述光敏區的區域為光電轉換區;所述第一電極設于所述芯片的正面,所述第一電極與對應的所述光敏區的另一端相連接;
所述芯片的正面上還設有至少一個第二電極,所述第二電極與所述緩沖層相連接;
所述芯片的背面為入光側,每個所述分光單元的透光孔使對應的入射光的一部分透射分出,入射光的另一部分在對應的所述光電轉換區進行光電轉換。
本實用新型提供的背入射式共面電極多單元芯片設置了多個分光單元,每個分光單元又包括透光孔和光敏區,吸收層內對應光敏區的區域為光電轉換區。每個分光單元的透光孔可以使對應的一束入射光的一部分透射分出,該入射光的另一部分在對應的光電轉換區進行光電轉換,產生光生電流,從而對該入射光進行光功率監控,故本實用新型提供的芯片能夠對多束入射光的每束入射光進行分光和光功率監控。進而使用本實用新型提供的芯片的光路系統,無需使用光分路器,大大減少了系統體積,也降低了成本。而且由于本實用新型提供的芯片具有多個分光單元,不是多個分離的器件,進而就無需進行多次光耦合,只進行一次光耦合即可,操作簡便。
進一步地,所述芯片的正面邊緣上還設有多個與所述分光單元的第一電極一一對應的電極焊盤;每個所述分光單元的第一電極通過電極連接線與對應的所述電極焊盤電連接;
多個所述電極連接線之間相互絕緣設置;多個所述電極焊盤之間相互絕緣設置;多個所述分光單元的第一電極相互絕緣設置;所述第二電極與每個所述分光單元的第一電極相互絕緣設置,所述第二電極與每個所述電極連接線和每個所述電極焊盤均相互絕緣設置。
進一步地,多個所述分光單元之間共用所述襯底、所述緩沖層、所述吸收層和所述頂層,各個所述分光單元的光敏區相互間隔,各個所述光敏區通過對應連接的所述第一電極輸出光電轉換信號。
進一步地,所述透光孔內端位于所述緩沖層。
進一步地,所述芯片的正面上還開設有與所述第二電極一一對應的電極安裝槽,所述電極安裝槽貫穿所述頂層和所述吸收層,所述第二電極設于所述電極安裝槽內。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





