[實用新型]背入射式共面電極多單元芯片

有效

• 申請號: 201822196268.3
• 申請日: 2018-12-25
• 公開（公告）號: CN209401639U
• 公開（公告）日: 2019-09-17
• 發明（設計）人: 楊彥偉;劉宏亮;劉格;鄒顏
• 申請（專利權）人: 深圳市芯思杰智慧傳感技術有限公司
• 主分類號: H01L31/0232
• 分類號: H01L31/0232;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 深圳智匯遠見知識產權代理有限公司 44481
• 代理人: 田俊峰

1.一種背入射式共面電極多單元芯片，其特征在于：所述芯片包括襯底、緩沖層、吸收層和頂層；

所述芯片上包括多個分光單元，每個所述分光單元包括透光孔、光敏區和第一電極；所述透光孔向遠離所述芯片背面的方向開口并貫穿所述吸收層和所述頂層；所述光敏區設于所述頂層并一端與所述吸收層相連接；所述吸收層內對應所述光敏區的區域為光電轉換區；所述第一電極設于所述芯片的正面，所述第一電極與對應的所述光敏區的另一端相連接；

所述芯片的正面上還設有至少一個第二電極，所述第二電極與所述緩沖層相連接；

所述芯片的背面為入光側，每個所述分光單元的透光孔使對應的入射光的一部分透射分出，入射光的另一部分在對應的所述光電轉換區進行光電轉換。

2.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于：所述芯片的正面邊緣上還設有多個與所述分光單元的第一電極一一對應的電極焊盤；每個所述分光單元的第一電極通過電極連接線與對應的所述電極焊盤電連接；

多個所述電極連接線之間相互絕緣設置；多個所述電極焊盤之間相互絕緣設置；多個所述分光單元的第一電極相互絕緣設置；所述第二電極與每個所述分光單元的第一電極相互絕緣設置，所述第二電極與每個所述電極連接線和每個所述電極焊盤均相互絕緣設置。

3.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于：多個所述分光單元之間共用所述襯底、所述緩沖層、所述吸收層和所述頂層，各個所述分光單元的光敏區相互間隔，各個所述光敏區通過對應連接的所述第一電極輸出光電轉換信號。

4.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于：所述透光孔內端位于所述緩沖層。

5.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于：所述芯片的正面上還開設有與所述第二電極一一對應的電極安裝槽，所述電極安裝槽貫穿所述頂層和所述吸收層，所述第二電極設于所述電極安裝槽內。

6.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于：所述芯片的背面設有多個與所述分光單元一一對應的入光增透膜；每個所述入光增透膜大于對應的所述透光孔沿平行于所述芯片表面的橫截面積，也大于對應的所述光敏區沿平行于所述芯片表面的橫截面積。

7.根據權利要求4所述的芯片，其特征在于：每個所述分光單元的透光孔的內端設有出光增透膜。

8.根據權利要求6所述的芯片，其特征在于：所述芯片的背面還設有反光層，所述反光層設有多個用于設置對應的所述入光增透膜的入光增透膜孔，所述反光層由反光材料制成。

9.根據權利要求2所述的芯片，其特征在于：相鄰兩個所述分光單元的中心間距大于100um且小于5000um，相鄰兩個所述電極焊盤的中心間距大于30um且小于1000um；相鄰兩個所述電極連接線的間距大于5um。

10.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于：所述芯片的正面上還設有鈍化膜，所述鈍化膜上開設有多個與分光單元的第一電極一一對應的第一電極通孔，每個分光單元的第一電極位于對應的第一電極通孔內；所述鈍化膜上還開設有至少一個與所述第二電極一一對應的第二電極通孔，每個所述第二電極位于對應的第二電極通孔內。