[實(shí)用新型]正入射式共面電極光電芯片及其封裝結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201822191963.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-12-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN209401638U | 公開(公告)日: | 2019-09-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊彥偉;劉宏亮;劉格;鄒顏 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市芯思杰智慧傳感技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0232 | 分類號(hào): | H01L31/0232;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18;H01L31/0203 |
| 代理公司: | 深圳智匯遠(yuǎn)見知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44481 | 代理人: | 田俊峰 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市南*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 共面電極 光電芯片 正入射 本實(shí)用新型 第一電極 入射光 收光區(qū) 吸收層 芯片 主光 第二電極 封裝結(jié)構(gòu) 光敏區(qū) 緩沖層 頂層 分光 光通信傳輸 光電轉(zhuǎn)換 光分路器 光路系統(tǒng) 絕緣設(shè)置 光功率 襯底 射出 監(jiān)控 貫穿 | ||
本實(shí)用新型涉及光通信傳輸技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種正入射式共面電極光電芯片及其封裝結(jié)構(gòu);一種正入射式共面電極光電芯片包括襯底、緩沖層、吸收層和頂層;芯片上開設(shè)主光槽,主光槽貫穿吸收層;頂層內(nèi)設(shè)有光敏區(qū);芯片的正面上還設(shè)有收光區(qū)和相互絕緣設(shè)置的第一電極和第二電極,第一電極位于收光區(qū)的外側(cè),第一電極與光敏區(qū)的外端相連接,第二電極與緩沖層相連接;以芯片的正面為入光側(cè),主光槽用于入射光的一部分射出,入射光的另一部分從收光區(qū)進(jìn)入到吸收層內(nèi)進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換;故本實(shí)用新型提供的正入射式共面電極光電芯片既能夠分光,又能夠?qū)θ肷涔獾墓夤β蔬M(jìn)行監(jiān)控;進(jìn)而使用本實(shí)用新型提供的芯片的光路系統(tǒng),無須使用光分路器進(jìn)行分光。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及光通信傳輸技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種正入射式共面電極光電芯片及其封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
激光器發(fā)射的光信號(hào)經(jīng)光纖傳輸進(jìn)入無源光波導(dǎo)(PLC)之前,通常需要光分路器分出部分(例如5%)光信號(hào)到另外的光接收芯片上,進(jìn)行光功率監(jiān)控。剩余(例如95%)的光信號(hào)通過光纖耦合到光波導(dǎo),進(jìn)行傳輸。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的主要目的是提供一種正入射式共面電極光電芯片及其封裝結(jié)構(gòu),該芯片既能夠?qū)崿F(xiàn)分光,又能夠?qū)崿F(xiàn)光功率的監(jiān)控。
為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型提供了一種正入射式共面電極光電芯片,包括襯底、緩沖層、吸收層和頂層,所述緩沖層位于所述襯底與所述吸收層之間,所述頂層位于所述吸收層與所述緩沖層相背的一表面,所述頂層相對(duì)所述襯底更靠近所述芯片的正面;
所述芯片上開設(shè)主光槽,所述主光槽向所述芯片的任一表面方向開口并貫穿所述吸收層;所述頂層內(nèi)設(shè)有光敏區(qū),所述光敏區(qū)的內(nèi)端與所述吸收層相連接;
所述芯片的正面上還設(shè)有收光區(qū)和相互絕緣設(shè)置的第一電極和第二電極,所述第一電極位于所述收光區(qū)的外側(cè),所述第一電極與所述光敏區(qū)的外端相連接,所述第二電極與所述緩沖層相連接;
以所述芯片的正面為入光側(cè),所述主光槽用于入射光的一部分射出,入射光的另一部分從所述收光區(qū)進(jìn)入到所述吸收層內(nèi)進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換。
本實(shí)用新型提供的正入射式共面電極光電芯片設(shè)置了主光槽,主光槽貫穿吸收層。芯片的正面上還設(shè)有收光區(qū)、第一電極和第二電極。入射光從芯片正面的一側(cè)射入芯片,一部分光從主光槽射出,因?yàn)檫@部分光可通過主光槽未經(jīng)過吸收層而無損穿過芯片,繼續(xù)進(jìn)行光信號(hào)傳輸;而另一部分光就會(huì)從收光區(qū)進(jìn)入到吸收層內(nèi)進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換,產(chǎn)生光生載流子,從而對(duì)入射光的光功率進(jìn)行有效監(jiān)控。故本實(shí)用新型提供的正入射式共面電極光電芯片既能夠分光,又能夠?qū)θ肷涔獾墓夤β蔬M(jìn)行監(jiān)控。進(jìn)而使用本實(shí)用新型提供的芯片的光路系統(tǒng),無須使用光分路器進(jìn)行分光,減少了系統(tǒng)體積,也降低了成本。而且本實(shí)用新型提供的正入射式共面電極光電芯片的第一電極和第二電極均設(shè)于芯片的同一表面,可將第一電極和第二電極分別通過焊線的方式電連接至同一電路板,再通過電路板電連接至電源的兩極,安裝簡(jiǎn)單、方便。
進(jìn)一步地,所述收光區(qū)與所述光敏區(qū)有重疊區(qū)域。
進(jìn)一步地,所述主光槽向所述芯片正面的方向開口并貫穿所述頂層,所述主光槽的內(nèi)端位于所述緩沖層。
進(jìn)一步地,所述芯片上還開設(shè)電極安裝槽,所述電極安裝槽向所述芯片正面的方向開口并貫穿所述頂層和所述吸收層,所述第二電極設(shè)于所述電極安裝槽內(nèi)。
進(jìn)一步地,所述收光區(qū)內(nèi)設(shè)有入光增透膜,所述主光槽的內(nèi)端設(shè)有透光增透膜。
進(jìn)一步地,所述芯片的背面設(shè)有出光增透膜,所述出光增透膜的面積大于所述主光槽沿平行于所述芯片表面方向的橫截面積。
進(jìn)一步地,所述芯片的背面還設(shè)有反光層,所述反光層上開設(shè)有用于設(shè)置所述出光增透膜的出光增透膜孔,所述反光層有反光材料制成。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





