[實用新型]正入射式共面電極光電芯片及其封裝結構

有效

• 申請號: 201822191963.0
• 申請日: 2018-12-25
• 公開（公告）號: CN209401638U
• 公開（公告）日: 2019-09-17
• 發明（設計）人: 楊彥偉;劉宏亮;劉格;鄒顏
• 申請（專利權）人: 深圳市芯思杰智慧傳感技術有限公司
• 主分類號: H01L31/0232
• 分類號: H01L31/0232;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18;H01L31/0203
• 代理公司: 深圳智匯遠見知識產權代理有限公司 44481
• 代理人: 田俊峰

1.一種正入射式共面電極光電芯片，其特征在于：包括襯底、緩沖層、吸收層和頂層，所述緩沖層位于所述襯底與所述吸收層之間，所述頂層位于所述吸收層與所述緩沖層相背的一表面，所述頂層相對所述襯底更靠近所述芯片的正面；

所述芯片上開設主光槽，所述主光槽向所述芯片的任一表面方向開口并貫穿所述吸收層；所述頂層內設有光敏區，所述光敏區的內端與所述吸收層相連接；

所述芯片的正面上還設有收光區和相互絕緣設置的第一電極和第二電極，所述第一電極位于所述收光區的外側，所述第一電極與所述光敏區的外端相連接，所述第二電極與所述緩沖層相連接；

以所述芯片的正面為入光側，所述主光槽用于入射光的一部分射出，入射光的另一部分從所述收光區進入到所述吸收層內進行光電轉換。

2.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于：所述收光區與所述光敏區有重疊區域。

3.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于：所述主光槽向所述芯片正面的方向開口并貫穿所述頂層，所述主光槽的內端位于所述緩沖層。

4.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于：所述芯片上還開設電極安裝槽，所述電極安裝槽向所述芯片正面的方向開口并貫穿所述頂層和所述吸收層，所述第二電極設于所述電極安裝槽內。

5.根據權利要求3所述的芯片，其特征在于：所述收光區內設有入光增透膜，所述主光槽的內端設有透光增透膜。

6.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于：所述芯片的背面設有出光增透膜，所述出光增透膜的面積大于所述主光槽沿平行于所述芯片表面方向的橫截面積。

7.根據權利要求6所述的芯片，其特征在于：所述芯片的背面還設有反光層，所述反光層上開設有用于設置所述出光增透膜的出光增透膜孔，所述反光層有反光材料制成。

8.根據權利要求2所述的芯片，其特征在于：所述光敏區沿平行于所述芯片表面方向的橫截面呈環形并圍繞所述主光槽設置，所述收光區呈環形并圍繞所述主光槽設置，所述第一電極沿平行于所述芯片表面方向的橫截面呈環形并圍繞所述收光區設置。

9.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于：所述芯片的正面上還設有電極焊盤，所述電極焊盤位于所述芯片的邊緣并與所述第一電極電連接。

10.一種正入射式共面電極光電芯片的封裝結構，其特征在于：包括管殼和正入射式共面電極光電芯片，所述正入射式共面電極光電芯片為權利要求1-9任一所述的芯片，所述芯片設于所述管殼內；所述管殼上還連接有第一光纖接口和第二光纖接口，所述第一光纖接口和所述第二光纖接口分別位于所述芯片的正面和背面。