[實用新型]組合傳感器

有效

• 申請號: 201822190772.2
• 申請日: 2018-12-21
• 公開（公告）號: CN209017323U
• 公開（公告）日: 2019-06-21
• 發明（設計）人: 楊軍偉;王德信;潘新超;端木魯玉;邱文瑞
• 申請（專利權）人: 歌爾科技有限公司
• 主分類號: H04R19/04
• 分類號: H04R19/04
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 胡海國

本實用新型公開了一種組合傳感器，其中，組合傳感器包括基板，安裝于基板內的第一ASIC芯片和第二ASIC芯片，設置于基板的第一引線板和第二引線板，安裝于基板表面的第一MEMS芯片和第二MEMS芯片，第一MEMS芯片為電容式結構，第二MEMS芯片的工作電壓為交流電壓，第一MEMS芯片通過第一引線板與第一ASIC芯片電連接，第二MEMS芯片通過第二引線板與第二ASIC芯片電連接；第一MEMS芯片和第二引線板的最短距離為d1，d1≥0.3mm，第一引線板和第二引線板的最短距離為d2，d2≥1.2mm。該組合傳感器具有能夠減弱寄生電容效應，減小電磁感應，降低第一MEMS芯片的本底噪聲的優點。

技術領域

本實用新型涉及傳感器技術領域，特別涉及一種組合傳感器。

背景技術

現有技術中，兩個MEMS芯片和兩個ASIC芯片封裝形成組合傳感器。其中，第一MEMS芯片是電容式的，工作偏壓為直流電壓，第二MEMS芯片的工作偏壓為交流電壓。由于該封裝空間較為緊湊且第二ASIC用的是交流電信號，使得第一ASIC芯片與第二ASIC芯片的引線Pad區域之間以及第一ASIC芯片與第二ASIC芯片的引線Pad區域通過第一MEMS芯片形成寄生電容而產生了電磁感應，進而增大了第一MEMS芯片和第二MEMS芯片同時工作時第一MEMS芯片的本底噪聲，從而影響了組合傳感器的整體性能。

實用新型內容

本實用新型的主要目的是提出一種組合傳感器，旨在解決MEMS芯片的本底噪聲較大的技術問題。

為實現上述目的，本實用新型公開了一種組合傳感器，其中，包括：

基板；安裝于所述基板內的第一ASIC芯片和第二ASIC芯片；設置于所述基板的第一引線板和第二引線板；

安裝于所述基板表面的第一MEMS芯片和第二MEMS芯片，所述第一MEMS芯片為電容式結構，所述第二MEMS芯片的工作電壓為交流電壓，所述第一MEMS芯片通過所述第一引線板與所述第一ASIC芯片電連接，所述第二MEMS芯片通過所述第二引線板與所述第二ASIC芯片電連接；

所述第一MEMS芯片和所述第二引線板的最短距離為d1，d1≥0.3mm，所述第一引線板和所述第二引線板的最短距離為d2，d2≥1.2mm。

優選地，所述第一MEMS芯片與所述第二MEMS芯片的最短距離的連線為a，所述第一引線板和所述第二引線板的最短距離的連線為b，a與b相交。

優選地，所述第一MEMS芯片與所述第二MEMS芯片并排設置，所述第一引線板和所述第二引線板分布在所述基板的同一對角線的兩端。

優選地，所述第一MEMS芯片和所述第二引線板中的至少一者的體積小于預設體積，以能夠增大所述第一MEMS芯片和所述第二引線板的最短距離d1。

優選地，所述第一引線板和所述第二引線板中的至少一者的體積小于預設體積，以能夠增大所述第一引線板和所述第二引線板的最短距離d2。

優選地，所述第一MEMS芯片和所述第二引線板中的至少一者的體積小于預設體積，以能夠增大所述第一MEMS芯片和所述第二引線板的最短距離d1，并且所述第一引線板和第二引線板中的至少一者的體積小于預設體積，以能夠增大所述第一引線板和所述第二引線板的最短距離d2。

優選地，所述最短距離d1形成于所述第一MEMS芯片的側面和所述第二引線板的側面之間；所述最短距離d2形成于所述第一引線板的側面和所述第二引線板的側面之間。

優選地，所述第一MEMS芯片為麥克風芯片，所述基板面對所述麥克風芯片的位置設置有音孔。

優選地，所述組合傳感器還包括罩殼，所述罩殼設于所述基板的上表面，所述罩殼與所述基板限定出封裝腔；所述第一MEMS芯片和所述第二MEMS芯片設于所述封裝腔內。