[實用新型]一種基于三極管二堆疊結(jié)構(gòu)的超寬帶放大器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201822189910.5 | 申請日: | 2018-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN209488527U | 公開(公告)日: | 2019-10-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 林倩;鄔海峰;張曉明 | 申請(專利權(quán))人: | 青海民族大學(xué) |
| 主分類號: | H03F1/42 | 分類號: | H03F1/42;H03F3/213 |
| 代理公司: | 成都創(chuàng)新引擎知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51249 | 代理人: | 向群 |
| 地址: | 810007 *** | 國省代碼: | 青海;63 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 二階矩陣 堆疊晶體管 超寬帶放大器 本實用新型 堆疊結(jié)構(gòu) 平衡網(wǎng)絡(luò) 輸出合成 三極管 網(wǎng)絡(luò) 矩陣 高功率輸出 功率放大器 晶體管輸出 電壓擺幅 核心架構(gòu) 饋電網(wǎng)絡(luò) 輸入分配 高增益 抗擊穿 晶體管 堆疊 寬帶 放大 | ||
本實用新型公開了一種基于三極管二堆疊結(jié)構(gòu)的超寬帶放大器,包括二階矩陣輸入分配網(wǎng)絡(luò)、二階矩陣級間平衡網(wǎng)絡(luò)、二階矩陣輸出合成網(wǎng)絡(luò)、第一堆疊晶體管、第二堆疊晶體管、第三堆疊晶體管、第四堆疊晶體管以及與二階矩陣級間平衡網(wǎng)絡(luò)和二階矩陣輸出合成網(wǎng)絡(luò)相連的饋電網(wǎng)絡(luò),本實用新型核心架構(gòu)采用第一至第四堆疊型晶體管組成的矩陣放大網(wǎng)絡(luò),使得整個功率放大器獲得了良好的寬帶高增益和高功率輸出能力,同時增大了晶體管輸出端的電壓擺幅且具有良好的抗擊穿特性。
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管射頻功率放大器和集成電路領(lǐng)域,特別是針對超寬帶收發(fā)機(jī)末端的發(fā)射模塊應(yīng)用的一種基于三極管二堆疊結(jié)構(gòu)的超寬帶放大器。
背景技術(shù)
隨著擴(kuò)頻技術(shù)、軟件無線電、超寬帶通信、無線局域網(wǎng)(WLAN)等的快速發(fā)展,射頻前端收發(fā)器也向高性能、高集成、低功耗的方向發(fā)展。因此市場迫切的需求發(fā)射機(jī)的射頻與微波功率放大器具有超寬帶、高輸出功率、高效率、低成本等性能,而集成電路正是有望滿足該市場需求的關(guān)鍵技術(shù)。
然而,當(dāng)采用集成電路工藝設(shè)計實現(xiàn)射頻與微波功率放大器芯片電路時,其性能和成本受到了一定制約,主要體現(xiàn):
(1)寬帶高增益放大能力受限:傳統(tǒng)單晶體管收到增益帶寬積的影響,需要犧牲增益才能獲得超寬帶放大能力,因此,寬帶高增益放大能力受到嚴(yán)重的限制。
(2)寬帶高功率放大能力受限:半導(dǎo)體工藝中晶體管的特征頻率越來越高,由此帶來了低擊穿電壓從而限制了單一晶體管的功率容量。為了獲得高功率能力,往往需要多路晶體管功率合成,但是由于多路合成網(wǎng)絡(luò)的能量損耗導(dǎo)致功率放大器的效率比較低,電路無法滿足低功耗或者綠色通信需求。
常見的超寬帶高功率放大器的電路結(jié)構(gòu)有很多,最典型的是傳統(tǒng)分布式放大器,但是,傳統(tǒng)分布式放大器要同時滿足各項參數(shù)的要求十分困難,主要是因為:
①在傳統(tǒng)的分布式功率放大器中,核心放大電路是多個單晶體管采用分布式放大排列的方式實現(xiàn),由于單晶體管受到寄生參數(shù)的影響,隨著工作頻率升高時,其功率增益會顯著降低、同時功率特性等也會顯著惡化,因此為了獲得超寬帶平坦的放大結(jié)構(gòu),必須要犧牲低頻增益來均衡高頻損耗,導(dǎo)致傳統(tǒng)分布式放大器的超寬帶增益很低;
②為了提高放大器增益提高隔離度的影響,也有采用Cascode雙晶體管分布式放大結(jié)構(gòu),但是Cascode雙晶體管雖然增加了電路隔離度,卻無法增益隨頻率顯著惡化的趨勢,也無法實現(xiàn)Cascode雙晶體管間的最佳阻抗匹配,從而降低了輸出功率特性。
由此可以看出,基于集成電路工藝的超寬帶射頻功率放大器設(shè)計難點為:超寬帶下高功率輸出難度較大;傳統(tǒng)單個晶體管結(jié)構(gòu)或Cascode晶體管的分布式放大結(jié)構(gòu)存在很多局限性。
實用新型內(nèi)容
本實用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種基于三極管二堆疊結(jié)構(gòu)的超寬帶放大器,結(jié)合了基于三極管堆疊技術(shù)和矩陣放大器的優(yōu)點,具有超寬帶下高功率輸出能力、高功率增益、良好的輸入、輸出匹配特性,且成本低等優(yōu)點。
本實用新型解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下:一種基于三極管二堆疊結(jié)構(gòu)的超寬帶放大器,其特征在于,包括二階矩陣輸入分配網(wǎng)絡(luò)、二階矩陣級間平衡網(wǎng)絡(luò)、二階矩陣輸出合成網(wǎng)絡(luò)、第一堆疊晶體管、第二堆疊晶體管、第三堆疊晶體管、第四堆疊晶體管以及與二階矩陣級間平衡網(wǎng)絡(luò)和二階矩陣輸出合成網(wǎng)絡(luò)相連的饋電網(wǎng)絡(luò);
二階矩陣輸入分配網(wǎng)絡(luò)的輸入端為整個基于三極管二堆疊結(jié)構(gòu)的超寬帶放大器的輸入端,其第一輸出端與第一堆疊晶體管的輸入端連接,其第二輸出端與第二堆疊晶體管的輸入端連接;
二階矩陣級間平衡網(wǎng)絡(luò)的第一端口與饋電網(wǎng)絡(luò)的第一輸出端以及第一、第二堆疊晶體管的饋電端同時連接,二階矩陣級間平衡網(wǎng)絡(luò)的第二端口與第一堆疊晶體管的輸出端、第三堆疊晶體管的輸入端同時連接,二階矩陣級間平衡網(wǎng)絡(luò)的第三端口與第二堆疊晶體管的輸出端、第四堆疊晶體管的輸入端同時連接;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于青海民族大學(xué),未經(jīng)青海民族大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201822189910.5/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





