[實用新型]一種基于三極管二堆疊結構的超寬帶放大器有效
| 申請號: | 201822189910.5 | 申請日: | 2018-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN209488527U | 公開(公告)日: | 2019-10-11 |
| 發明(設計)人: | 林倩;鄔海峰;張曉明 | 申請(專利權)人: | 青海民族大學 |
| 主分類號: | H03F1/42 | 分類號: | H03F1/42;H03F3/213 |
| 代理公司: | 成都創新引擎知識產權代理有限公司 51249 | 代理人: | 向群 |
| 地址: | 810007 *** | 國省代碼: | 青海;63 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 二階矩陣 堆疊晶體管 超寬帶放大器 本實用新型 堆疊結構 平衡網絡 輸出合成 三極管 網絡 矩陣 高功率輸出 功率放大器 晶體管輸出 電壓擺幅 核心架構 饋電網絡 輸入分配 高增益 抗擊穿 晶體管 堆疊 寬帶 放大 | ||
1.一種基于三極管二堆疊結構的超寬帶放大器,其特征在于,包括二階矩陣輸入分配網絡、二階矩陣級間平衡網絡、二階矩陣輸出合成網絡、第一堆疊晶體管、第二堆疊晶體管、第三堆疊晶體管、第四堆疊晶體管以及與二階矩陣級間平衡網絡和二階矩陣輸出合成網絡相連的饋電網絡;
所述二階矩陣輸入分配網絡的輸入端為整個所述基于三極管二堆疊結構的超寬帶放大器的輸入端,其第一輸出端與所述第一堆疊晶體管的輸入端連接,其第二輸出端與所述第二堆疊晶體管的輸入端連接;
所述二階矩陣級間平衡網絡的第一端口與所述饋電網絡的第一輸出端以及第一、第二堆疊晶體管的饋電端同時連接,所述二階矩陣級間平衡網絡的第二端口與所述第一堆疊晶體管的輸出端、第三堆疊晶體管的輸入端同時連接,所述二階矩陣級間平衡網絡的第三端口與所述第二堆疊晶體管的輸出端、第四堆疊晶體管的輸入端同時連接;
所述二階矩陣輸出合成網絡的輸出端為整個所述基于三極管二堆疊結構的超寬帶放大器的輸出端,其第一輸入端與所述饋電網絡的第二輸出端以及所述第三、第四堆疊晶體管的饋電端同時連接,其第二輸入端與所述第三堆疊晶體管的輸出端連接、其第三輸入端與所述第四堆疊晶體管的輸出端連接;
所述饋電網絡的輸入端與供電電壓Vcc連接。
2.根據權利要求1所述的基于三極管二堆疊結構的超寬帶放大器,其特征在于,所述二階矩陣輸入分配網絡包括從所述超寬帶放大器輸入端到接地端依次串接的電感Lb1、Lb2、Lb3、隔直電容Cload1和負載電阻Rload1,所述電感Lb1與Lb2的連接節點為所述二階矩陣輸入分配網絡的第一輸出端,所述電感Lb2與Lb3的連接節點為所述二階矩陣輸入分配網絡的第二輸出端。
3.根據權利要求1所述的基于三極管二堆疊結構的超寬帶放大器,其特征在于,所述第一堆疊晶體管至第四堆疊晶體管的輸入端連接電容Cbj,電容Cbj的另一端連接共射管Qsj的基極,電容Cbj與Qsj基極的連接節點上還連接了接地電阻Rbj以及饋電電阻Rsj,Rsj的另一端連接所述第一堆疊晶體管至第四堆疊晶體管的饋電端,所述共射管Qsj的發射極接地,Qsj的集電極連接三極管Qtj的發射極,Qtj的基極與電阻Rtj相連,電阻Rtj的另一端連接到三極管Qrj的發射極,同時Rtj與Qrj發射極節點上還連接有接地電容Ctj,所述三極管Qrj的基極與集電極連接后與電阻Rrj串聯,電阻Rrj的另一端連接所述第一堆疊晶體管至第四堆疊晶體管的饋電端,Qtj的集電極連接所述第一堆疊晶體管至第四堆疊晶體管的輸出端,其中,j=1,2,3,4。
4.根據權利要求1所述的基于三極管二堆疊結構的超寬帶放大器,其特征在于,所述二階矩陣級間平衡網絡包括依次串聯的電阻Rload2、電容Cload2、電感Lm1、Lm2、Lm3、電容Cload3、電阻Rload3,并且Rload2和Rload3的另一端均同時接地,電容Cload2與電感Lm1相連的節點為所述二階矩陣級間平衡網絡的第一端口,電感Lm1與電感Lm2相連的節點為所述二階矩陣級間平衡網絡的第二端口,電感Lm2與電感Lm3相連的節點為所述二階矩陣級間平衡網絡的第三端口。
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